老美为了夺回产业优势，目前正打算督促ASML断供DUV光刻机，虽然被强硬拒绝了，但难免引起市场的担忧，纷纷启动了可替代的方案，目前已经有了诸多的方案，外媒也直言：“EUV光刻机地位将被取代！”
EUV光刻机将被替代？
历经研发设计、制造、封装环节，经过上百道复杂工序的打磨，一颗芯片才得以成型，虽然每个环节都至关重要，但最复杂的肯定是制造环节，仅仅是光刻机这个设备，就难倒了多少“英雄汉”，中芯国际就是因为缺乏EUV光刻机，才一直无法实现7nm工艺的量产。
一台EUV光刻机的售价上亿美元，因此布局一条7nm以下的生产线，动辄几十亿美元的投资，注定没有多少企业能够承受的起，目前EUV光刻机的产能过半被台积电占据，总数达到了80台以上，这也让三星望尘莫及，因此市场地位上占据主导优势。
但在老美对市场的强行干预之下，台积电的地位正在逐步下滑，从赴美建厂那一刻开始，就完全丧失了主动权，无法摆脱含美的技术，大量的美企订单涌入，被迫放弃了国际市场的合作，也正是因为如此，加速了各个国家技术的自主化。
在掌控了台积电之后，老美就对其有所懈怠了，在“套取技术”无果之后，就开始联合日企研发2nm工艺，并且把三星、台积电等企业排除在外，很明显就是奔着取代地位而去的，而邀请赴美建厂的做法，只不过是限制国际半导体发展的“诱饵”。
目前日企铠侠已经芯片制造技术上取得突破，直接绕开了EUV光刻机最为复杂的光源技术，利用纳米压印技术成功制造出了先进工艺芯片，理由类似“盖章”的方式将造芯过程简化，实现了成本的大幅降低，而佳能、尼康也在恢复光刻机的研发，正在朝着5nm工艺前行。
同时无法获取到EUV光刻机的中芯国际，也给出了相对应的解决方案，在有了梁孟松的加盟之后，中芯国际三年从一家“小作坊”，成长为了全球前五的芯片制造厂商，成功掌握了14nm芯片量产，在成品率上已经不输于台积电了。
短期之内获取EUV光刻机肯定无望了，为了满足对于高端芯片的需求，于是想到了利用DUV光刻机的多重曝光，研发出了N+1、N+2等等工艺，可以实现不亚于7nm性能的芯片，再利用上华为的堆叠工艺，有希望解决高端芯片的需求。
新技术不断突破
先进的封装工艺是大势所趋，就连台积电也朝着这个方向努力，芯片堆叠工艺已经在苹果的M1芯片上验证，证实是能够实现1+1+n＞2的效果，因此华为的研发方向是对的，在国内完成14nm产能的完全自主化之后，对于高端芯片的需求就能恢复了。
根据最新的消息传出，3nm晶圆单片售价突破了2万美元，而多次涨价的5nm也仅为1.6万美元，这其中的差距可是很大的，并且在性能上提升并不明显，也难怪苹果不愿意采用了。
目前华为在光子芯片、超导量子芯片的研发上，已经取得了非常不错的进展，并且掌握了大量的核心技术专利，国内首条的光量子芯片生产线已经在布局，说明这项技术已经从理论走向了商用，距离最终的突破不远了。
而在摩尔定律极限的限制下，EUV光刻机的研发即将到头，全新一代的NA EUV光刻机很有可能是末代产品，虽然能够支持两纳米芯片的制造，但目前还没有哪一个领域需要用到这么高端的芯片。
先进芯片需求下滑已经成为了事实，面对智能汽车、物联网布局的崛起，中低端芯片的需求将会持续攀升，这样的情况将维持至少五年左右，这五年时间足以改变很多，新技术一旦实现了突破，EUV光刻机利用率肯定是要下滑的。
因此外媒的推测是对的，再先进的技术遭到“雪藏”，终究要面临被淘汰的命运，EUV光刻机也是如此，如果后续不能恢复市场合作，注定难以与时代接轨，对此你们是怎么看的呢？
