近日，国行版本的三星Galaxy S23（型号为SM-S9110）、Galaxy S23+（型号为SM-S9160）已经获得3C认证，再加上此前就已经入网的Galaxy S23 Ultra，三星2023年Galaxy S系列旗舰已全部登场。认证显示近期入网的两款手机与上代机型一样仍配备25W的充电器。
自从前几年的三星Galaxy Note 7爆炸门后，三星后续推出的手机的充电功率基本都没有多大的提升，最高也仅是顶配旗舰的45W快充，对比国内各大厂商动辄一两百瓦的充电功率，甚至百瓦快充下放到千元价位，就连隔壁苹果都把PD快充功率提高到了30W了，如此对比的话，三星这个万年不变的25W快充就显得很没诚意了。
Note 7
外观渲染图曝光
近期知名爆料人士OnLeaks曝光了三星Galaxy S23渲染图。Galaxy S23的整体外观设计延续了上代S22的风格，后置采用三摄，摄像头位置的设计风格参考了Galaxy S22 Ultra上的排列方式，机身正面基本与Galaxy S22保持一致。
配置方面
据此前爆料信息，三星Galaxy S23屏幕尺寸是6.1英寸，刷新率为120Hz，采用直屏方案，机身三围尺寸为146.3×70.8×7.6mm，宽度厚度接近上代三星Galaxy S22（146x70.6x7.6mm），单手操作体验良好。
核心配置上，目前可以确定的就是三星Galaxy S23系列机型均搭载高通即将推出的旗舰处理器高通骁龙8 Gen2，且将Galaxy S23与Galaxy S23+将支持25W有线快充，而Galaxy S23 Ultra则会采用45W快充方案。
骁龙8 Gen2
高通骁龙8 Gen2是高通将于今年11月推出的年度旗舰SOC，明年大部分安卓旗舰都会搭载该处理器。近日博主@i冰宇宙 爆料称，高通骁龙8 Gen 2芯片采用1+2+2+3架构，性能总体上提升10%，能效比不错，目前看到的CPU频率是2.84Hz、2.4GHz、2.4Ghz和1.8GHz。
去年年底发布的骁龙8 Gen1由于采用了三星4nm制程工艺，导致其功耗控制不得当翻车了，使用体验不及联发科天玑9000，这一现象使得今年上半年不少厂商在旗舰机上除了采用骁龙8 Gen1外，还选择发布搭载联发科天玑9000的同型号机型。直到今年五月高通推出台积电工艺的骁龙8+ Gen1后才打平联发科天玑。同时高通后续的芯片也是全面转战台积电工艺了，而且这一代骁龙8 Gen2似乎重点提升了能效比，今年应该不会再出现功耗翻车这一现象了。
目前搭载骁龙8 Gen 2芯片的小米13系列和三星 Galaxy S23系列手机已经入网，拿下国内首发的应该还是小米13系列。
