突發延期！三星10納米級1c內存製程推遲半年：HBM4前景添變數

快科技1月21日消息，據韓國媒體報道，三星電子的第六代10納米級1c dram製程開發進度出現延遲，預計完成時間從2024年年底推遲至2025年6月。

這一延期意味着原計劃於2025年下半年量產的第六代高頻寬存儲器（hbm4）也面臨不確定性。

三星在2024年年底向市場交付了首個測試芯片，但後續生產良率未達預期，導致開發時間延長，據市場人士透露，三星計劃在未來六個月內將良率提升至約70%。

按照過往經驗，每一代製程的開發周期通常為18個月左右，然而，自2022年12月三星開發出第五代10納米級1b dram製程並宣布量產以來，關於1c dram的進展一直未有明確消息。

此次1c dram製程的延遲不僅影響了其核心產品ddr5內存的量產時間，也波及了高頻寬存儲器（hbm）的開發。

如果1c dram的量產推遲至2025年底，hbm的量產時間可能會在2025年之後，這與三星此前計劃在2025年下半年量產hbm4的目標相悖，進而影響三星在hbm市場的競爭力。

韓國半導體產業人士表示，三星正在修改1c dram製程技術的部分設計，以儘快達成量產目標，然而能否在預定時間內實現量產，仍存在不確定性。