三星公布內存路線圖，DDR6內存將突破 10Gbps

10月9日消息，在近期，外媒 computerbase 發佈了三星在Samsung Foundry Forum 2022的活動內容，在三星的這一次活動上，三星發佈了旗下的內存技術路線圖。

三星在Samsung Foundry Forum 2022提到，三星將在2023 年進入 1b nm 工藝階段，內存芯片容量將達到 24Gb（3GB）- 32Gb（4GB），原生速度可達 6.4-7.2Gbps。而在顯存方面，新一代 GDDR7 顯存將在明年問世，英偉達和AMD的新顯卡最快將可能在明年使用新的GDDR7顯存。

三星也對外公布了其技術設想，根據三星給出的設想，三星將會在2026 年推出 DDR6 內存，2027 年即實現原生 10Gbps 的速度。