5月28日消息，雖然目前英特爾已經在其intel 18a製程的研發過程中導入了asml最新的high na euv光刻機，但是台積電似乎卻不急於採用這類價格昂貴的設備，即便是尖端的a14製程也將不會採用。
此前，台積電業務開發及全球銷售高級副總裁張曉強就曾公開表示，雖然對high na euv能力印象深刻，但設備價格超過 3.5 億歐元（3.78 億美元）。目前的標準型euv光刻機，仍可以支持台積電尖端製程的生產到2026年，台積電尖端製程a16也將會繼續採用標準型euv光刻機來進行生產。
在最近於荷蘭阿姆斯特丹舉行的台積電技術論壇歐洲站活動上，張曉強再度重申了其對high na euv光刻機的長期立場，該公司的a16（1.6nm級）和 a14（1.4nm級）工藝技術都不會採用 high na euv光刻機。
張曉強表示，「人們似乎對於台積電何時使用 high na euv光刻機很感興趣，我認為我們的答案非常簡單。每當我們看到 high na euv將提供有意義、可衡量的好處時，我們就會這樣做。對於 a14，我之前談到的增強在不使用 high na 的情況下也非常顯着。因此，我們的技術團隊繼續尋找一種方法來延長當前 標準euv光刻機的使用壽命，同時獲得擴展優勢。」
台積電的 a14 工藝依賴於該公司的第二代納米片柵極全環繞晶體管，以及新的標準單元架構。據台積電稱，a14 在相同的功率和複雜性下提供高達 15% 的性能提升，或者在相同頻率下降低 25% 至 30% 的功耗。在晶體管密度方面，a14 在混合邏輯/sram/模擬配置方面比 n2 提高了 20%，在純邏輯方面提高了 23%。
張曉強稱，a14製程這種性能、功率和晶體管密度的增加代表了所謂的「全節點優勢」，然而，台積電不需要下一代高數值孔徑 euv 光刻工具，即可在其 a16 和 a14 工藝技術上生產具有可預測良率和所需性能和功率特性的芯片。
需要指出的是，台積電的 a16 本質上是 n2p的延續，具有超級電源軌 （spr） 背面供電網絡。由於台積電不需要用於 n2 和 n2p 的高數值孔徑 euv 工具，因此 a16 也不需要它們。相比之下，a14 是一個全新的節點，將在 2028 年用於量產，因此台積電不需要 high na euv 這一事實是相當了不起的。
當被問及 a14 製程是否嚴重依賴多重圖形化時，張曉強回答說他無法就具體細節發表評論，但表示台積電的技術團隊已經找到了一種在a14節點上生產芯片的方法，而無需使用high na euv光刻機，與標準型的低數值孔徑euv系統的 13.5nm 分辨率相比，該工具可提供 8nm 分辨率。
「這是我們技術團隊的一項偉大創新，」張曉強說。「只要他們繼續找到方法，顯然，我們就不必使用 high na euv 光刻機。最終，我們將在某個時候使用它。因此，我們需要找到一個正確的節點，提供最大的收益，最大的投資回報。」
值得注意的是，台積電的第一代的 a14 製程將在 2029 年被具有 spr 背面供電技術的第二代的 a14 製程取代，而且台積電似乎也不會在這次迭代中需要high na euv光刻機。因此，台積電至少在 2030 年之前，甚至可能更晚，都沒有計劃使用 high na euv 光刻機進行大規模生產。
相比之下，英特爾將在 2027 年至 2028 年開始使用high na euv光刻機來製造其intel 14a製程，主要是可以提升精度、減少euv曝光次數和工藝步驟的數量。
根據asml財報披露的信息顯示，asml已經向客戶交付了5台high na euv光刻機，其中英特爾拿到了多數，三星可能也拿到了1-2台。傳聞顯示，三星也已經組建了一個致力於 1nm 製造的團隊，目標是在 2029 年實現量產。
編輯：芯智訊-浪客劍
