圖為光刻機
無法製造高精端邏輯、存儲芯片,一直都是中國半導體行業長期難以解決的痛點,而美國也是抓住了這個短板,聯合盟友對中國的芯片產業進行打壓,試圖將正在成長的半導體扼殺在搖籃之中。
不過,無論是「兩彈一星」,還是航空航天,中國都是在國外技術重重封鎖的狀態下,獨立自主地完成了研究成果,同樣的是,中國最近科技界迎來了三大突破,增強國人信心有着特殊意義。
圖為鴻蒙系統
第一大突破,EUV光源的重大突破,前不久清華大學科研團隊發表了一篇有關紫外光源的研究成果,報告顯示他們利用穩態微聚束,這種新型粒子進行了原理驗證實驗,更為確切地說,研究團隊,利用波長為1064納米的激光,操控電子束繞環形成精密的微型結構。
荷蘭的阿斯麥公司目前是全世界唯一能夠生產極紫外光刻機的廠商,其中它裏面需要的是高功率的光源,而清華大學團隊驗證微聚束形成實驗,給大功率EUV光源提供了一種新的思路,也為中國獨立研發光刻機提供理論基礎。
第二大突破是,華為鴻蒙系統2.0將會在今年四月份與大家見面,上個月華為的MateX2手機發佈會上,CEO余承東表示,華為將會對鴻蒙系統進行升級,此前的1.0版本主要是應用在智慧屏上,而這次升級後的2.0版本將會直接裝入華為MateX2摺疊屏手機。
圖為離子注入機
鴻蒙系統如果能夠成功,無疑是給中國科技界注入了一劑強心針,作為一款國產自主研發的操作系統,國產手機未來能夠擺脫安卓、IOS系統的依賴,據了解除了首批華為MateX2手機將搭載鴻蒙2.0系統之外,EMUI 11.0、MagicUI4.0等手機系統版本的華為、榮耀手機也都將在今年內,陸續完成鴻蒙系統的升級,可以說它的未來前景十分巨大。
第三大突破是,芯片製造的關鍵設備——離子注入機完成全譜系國產化,眾所周知,芯片製造分為兩大部分,一個是製造技術,目前最先進的是7nm芯片製程,而且歐洲正在攻關2nm的芯片,另一種就是製造設備,其中除了光刻機是最為關鍵的一環外,離子注入機也是不可或缺的設備,這一次中國電科帶來的好消息,意味着中國芯片產業版圖,國產化又拼上了一大塊。據了解,目前使用國產光刻機基本能夠生產90nm的芯片,假如中國能夠獨立自主完成14nm芯片,那麼我們95%芯片需求能夠依靠自己完成了,不用再擔心「卡脖子」了。(清風)