三星前研究員泄露芯片技術被判七年監禁

首爾中央地方法院4月22日表示，一名曾在三星電子任職的研究員因向一家中國企業泄露半導體技術，被判處七年監禁。法院認定，這名僅以姓氏對外公布的被告違反了《產業技術保護法》，其泄露的數據被界定為「國家核心技術」，且他系與他人共謀實施泄密行為。

該名56歲的前研究員是韓國檢方去年起訴的10名嫌疑人之一，他們被指涉嫌向中國存儲芯片製造商長鑫存儲技術有限公司（CXMT）泄露存儲芯片製造工藝。韓方有關部門當時稱，該案幫助中國在開發高帶寬存儲器（HBM）方面「鋪平道路」，而HBM是人工智能計算的重要關鍵部件之一。三星電子對此拒絕發表評論，長鑫存儲則尚未就置評請求作出回應。

韓國聯合通訊社報道稱，這名研究員在離開三星電子後，與一名前三星高管一同投身長鑫存儲，並在此過程中向該公司提供了三星的DRAM工藝技術。據該社援引檢方消息人士的話稱，這名被告在六年間從長鑫存儲方面共計收取約29億韓元（約合196萬美元）報酬。首爾中央地方檢察廳在被路透社聯繫時未能立即發表評論。

長鑫存儲去年表示，計劃通過在上海發行106億股股份進行首次公開募股，籌資295億元人民幣（約合43.3億美元）。該公司稱，募資所得將用於升級其生產線和相關技術，以擴大DRAM產能和提升工藝水平。報道同時援引當日匯率指出，1美元約合6.8204元人民幣，約合1477.45韓元。