開關電源原邊反饋技術到底是怎麼一回事?

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開關電源原邊反饋技術到底是怎麼一回事?

原邊反饋(PSR)簡介

●在小功率消費類電子應用中,反激式電源是主流,因為反激式電源非常適合小功率段,同時天然提供了隔離的效果。

●隔離後,如果要檢測輸出的情況,需要用隔離元件,比如光耦等,這樣就增加了電源的成本,光耦本身的壽命也會成為電源的瓶頸,基於此,開發出了原邊反饋技術。

-原邊反饋不從輸出直接採樣,而是從初級線圈採樣,通過初級線圈的情況來計算次級線圈的情況,進一步推算輸出的情況。

-部分信息難以從初級線圈直接得到,因此通常還使用一個輔助線圈,輔助線圈和初級線圈共地,和次級隔離。

輔助線圈的用途

●增加輔助線圈會增加成本和複雜度,因此,最好能讓輔助線圈完成更多的工作,一般輔助線圈都同時做2件事情:

-反映初級線圈和次級線圈的情況,輔助線圈通過電阻分壓,將原邊和副邊的電壓情況反映在VSES點,此時輔助線圈和原邊/副邊構成變壓器。

-和初級線圈形成一個反激結構,給IC供電,由於反激結構本身無法恆壓,因此要加一個限壓的二極管。

不使用輔助線圈是否可行

●如果不要求輔助線圈供電,那麼是否可以用其他檢測方法,比如在初級線圈上檢測來做原邊反饋?

●理論上是可行的,思路如下:

-在初級線圈上並聯一個高阻支路,對初級線圈進行採樣,同時提供TOFF期間初級線圈的迴路。

-考慮到檢測電壓必須為正,因此有兩種基本形式,如下圖:

檢查輸出信息的方法

●原邊反饋不能得到所有的輸出信息,但可以得到較多的輸出信息。

-不能得到輸出電流信息,但可以得到初級的電流信息。

-不能直接得到輸出電壓信息,可以通過輔助繞組來得到輸出電壓信息。

PSR輸出電壓計算

●MOS管關斷後,變壓器中儲存的能量都由次級和輔助線圈釋放出來,次級線圈和輔助線圈形成變壓器,此時VSES上的電壓為:

●VD和次級線圈的電流有關,電流越小,VD越小,電流為0時,VD為0。

●因此,在去磁點時刻,VO電壓為

膝電壓的定義

●當流過次級二極管的電流為0後,變壓器退磁,此時VD比VIN高一個反射電壓,初級電感和寄生電容形成的LC電路開始震蕩,初級電感上的電壓將從VD-VIN開始,以正弦方式往下降。

●這樣,在VSES上看到的電壓將呈現出一個膝蓋狀,因此,將退磁點電壓稱為膝電壓。

因為正弦起始點處的斜率為-1,膝電壓就是電壓斜率從負載消耗導致的斜率變化到-1的時刻的電壓。

PSR輸出電流計算

●MOS管關斷後,變壓器中儲存的能量都由次級和輔助線圈釋放出來,此時次級的平均電流為:

●ISND_PK無法直接測到,只能由ISES_PK近似換算得到:

●TOFF的測量也依賴於膝電壓的時刻,但是需要的不是電壓值,而是膝點的時刻。

電流和電壓檢測的共同點

●共同之處就是都需要檢測到膝點。

●對於電流來說,檢測到膝點,然後根據膝點和開關管斷開的時刻計算出TOFF,加上ISES的電流,就能算出平均輸出電流。

●對於電壓來說,需要檢測到膝點的電壓,具體的方法就是檢測到膝點,然後看當前時刻VSES上的電壓,從而根據匝比得出當前時刻的輸出電壓。

膝點檢測算法

●有2種檢測方法,一種是從前往後檢測,另一種就是從後往前檢測。

-從前往後檢測,是通過延遲,或者是斜率轉變的方法來找到膝點的時刻。

-從後往前檢測,是利用膝點後諧振頻率固定的特點,從過零點反推膝點的位置。

各方法對比

●延遲法,從TOFF開始,延遲一段時間,檢測VSES。

-這個方法可想而知是非常不精確的,因為TOFF的時間變化很大。

●檢測斜率法,檢測VSES的斜率,通過波形分析算法找出膝點。

-這個方法只有在TOFF區間的斜率和TDEAD區間的斜率存在明顯差別時才管用,而且由於在TDEAD區間,振蕩是呈正弦曲線,膝點處不存在斜率轉折,必須依靠某種算法來推算出膝點。

●諧振反推法,膝點後,初級電感的諧振會傳到輔助線圈,檢測輔助線圈的過零點可以得知諧振頻率,用過零點的時刻減掉1/4周期,就是膝點。

-這個方法用於測時間恆流還是比較簡單的,用於恆壓時必須將電壓的檢測轉變為時間的檢測。

諧振反推法實現恆壓

●諧振後,檢測次級線圈的過零點就能得知諧振周期,因此,當輸出電壓恰好等於參考電壓時,VSES和VREF的交點到過零點的時間TFB也應該恰好等於1/4諧振周期TR。如果TFB比TR/4大,說明輸出電壓較低,以至於VSES和VREF的交點提前了,反之,如果TFB比TR/4小,說明輸出電壓較高,以至於VSES和VREF的交點推遲了。

-VZC表示過零點閾值,並不是0V,通常為一個非常小的電壓,比如0.125V之類的

斜率法和諧振反推法的對比

●注意到斜率法和諧振反推法是優缺點互補的:

-如果TOFF和TDEAD期間的斜率差別越大,越適合用斜率法,如果TOFF和TDEAD期間的斜率差別越小,越適合用諧振反推法。

-實際上,TOFF期間的斜率通常很小,以至於噪聲對VSES和VREF交叉點的檢測有很大的影響,如果採用諧振反推法,必須有某種消除噪聲的方法。

●使用諧振反推法還要注意一點是,由於膝點前後斜率差別較大,TFB偏大和偏小時,誤差時間TERR=TR/4 – TFB在大於0和小於0的時候具有完全不同的環路增益。

-斜率越低,輸出電壓變化導致的時間變化差距越大,環路增益越高,也就是說,當輸出電壓小於基準電壓時,環路增益高,當輸出電壓大於基準電壓時,環路增益低。

將PSR技術用於非隔離拓撲

●通常來說,非隔離拓撲可以直接檢測輸出VO,沒必要使用複雜的PSR技術先檢測VSND,然後計算VO,但有一種情況例外:就是需要一個IC同時支持隔離和非隔離的時候。

-從市場的角度來說,隔離和非隔離都是需要的,如果用相同的技術來解決,無疑可以節省大量研發成本。

PSR固有的問題

●檢測的非實時性:每個切換周期,只有一次正確檢測輸出電壓的機會,不能像其他非隔離型拓撲一樣可以隨時隨地的檢測輸出,而且這個輸出電壓的檢測還依賴於變壓器的退磁,變壓器的退磁點未到來之前,輸出端發生的任何變化都無法被檢測。

●線纜壓降:能得到電壓只是電容兩端的電壓,而不是負載兩端的電壓,當次級存在明顯的寄生電阻時,檢測到的電壓會明顯偏低。

-去磁點時,流過二極管的電流為0,電容兩端的電壓等於副邊的電壓,但是流過寄生電阻的電流不為0,負載上的電壓要小於檢測到的電壓。

負載突變的問題

●檢測的非實時性主要體現在負載突變時,比如熱插拔。

-在充電器領域,熱插拔是必須支持的,在LED領域,熱插拔也是有必要支持的,很多規範都要求熱插拔。

-熱插拔包括空載->滿載,和滿載->空載兩種極端情況。

-真實情況下,並不是每次都是滿載,但如果能支持滿載-空載切換,必然可以支持其他切換。

●空->滿的切換會導致輸出跌落,滿->空的切換會導致輸出過沖,要避免這兩種情況,必須使用非線性控制,IC檢測到熱插拔後,立即調整控制策略。

熱拔

●如果在TOFF區間,也就是次級輸出時熱拔,相當於次級的負載阻抗突然升高,此時會有個小的電壓突變,隨後所有的能量會在電容上聚集,輸出電壓將升高。

●如果在非TOFF區間熱拔,除了看不到小的電壓突變,導致的最終結果和前面是沒有區別的。

假負載

●如果不能保證每次都能檢測到且能處理好熱拔,就必須在輸出上加上假負載或穩壓管,讓其能承擔泄放工作。

-假負載一般使用電阻,電阻值要小心選取,過大了泄放效果不好,過小又製造大功耗。

熱插和短路判斷

●熱插時,負載突然變小,輸出電壓會跌落,電源需要輸出更多的能量到次級,但是要區分熱插和短路。

●不光要區分熱插和短路,在任何時候都需要判斷是否短路。

-短路時,TOFF時間會變得很短,可以通過檢查TOFF開始到VSES過零點的時間來判斷,或者通過TOFF區間的斜率來判斷。

-如果輸出不在TOFF期間發生短路,就得等到下一個TOFF才能檢測到,在短路後,輸出電容會有很大的電流,這個大電流如果持續時間過長,導致電容溫升,會對電容的壽命會有一定的影響,所以能儘早的檢測TOFF是很重要的。

-假設需要一兩個周期才能檢測到短路,是否會對電容壽命產生不利影響,這個目前不清楚。

區分熱插,短路,開機

●這3者都表現為輸出要吸收大量能量,但三者的處理方法卻不能相同。

-熱插需要穩壓,減少跌落的幅度和持續時間,短路需要識別到,並採取保護措施,而開機則需要控制輸出平穩的增加。

●這三者主要的區別有:

-初始狀態的不同,熱插的初始狀態為空載,短路的初始狀態為任意,開機的初始狀態為初始態。

-對輸出的影響不同,由於開機的初始態輸出為0,開機後輸出表現為增加,另外兩者都表現為減少,所以熱插和短路的區分更困難一些。

熱插拔抖動

●在人進行插拔的過程中,端子實際上是抖動着的,會進行快速的碰撞,也就是說,插拔的過程中會有大量的切換。

●如果IC的檢測控制處理不當,很可能會出問題。

-出問題的原因在於空載時,切換頻率已經降到非常低了,而滿載時通常要求切換頻率很高,芯片無法在這兩種情況之間快速切換。

——低頻就意味着不可能快速的做某些事情。

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