三星電子搶建 10nm 第七代 DRAM 測試線，力圖重奪市場領先地位

it之家 12 月 19 日消息，韓媒 business korea 昨日（12 月 18 日）發佈博文，報道稱三星電子正積極投資建設 10 納米級第七代（1d）dram 測試線，旨在提升良率，擴大與競爭對手的技術差距，并力爭在明年重新奪回 dram 市場的領先地位。

消息稱三星已於今年第四季度開始在平澤第二工廠（p2）建設 10 納米級第七代 dram 測試線，又稱「one path」線。

該測試線預計將於 2025 年第 1 季度全面建成，用於測試新產品的量產潛力，並提升良率。儘管平澤 10 納米級第七代 dram 工廠的確切規模尚未確定，但通常安裝測試線每月可處理約 10000 片晶圓。

it之家援引該媒體報道，三星準備同步推進第七代 dram 測試線的建設與第六代 dram 的量產準備，計劃從 2025 年初開始在平澤第四工廠（p4）引進設備，生產 10 納米級第六代 dram，并力爭在明年 5 月獲得內部量產批准（pra）。

在人才配備方面，三星為順利推進 1c dram 的量產，還將從華城工廠派遣 dram 相關人員到平澤工廠。

該媒體解讀認為，三星此舉是一項積極的投資策略，在經歷了 hbm 市場份額被 sk 海力士超越，以及 10 納米級第六代 dram 開發速度落後的雙重打擊後，三星正全力以赴，希望通過提前布局下一代產品，在明年重奪市場「霸主」地位。