先說一個事實，那就是中國大陸的長江存儲，成為了全球第一家量產232層3D NAND閃存芯片的廠商，技術已經超過了三星、美光、SK海力士、鎧俠等巨頭。
事實上，長江存儲一直保持低調，並沒有公布這個事實，但是TechInsights發現使用長江存儲芯片顆粒的SSD太強了，於是拆解了這一款海康威視的 CC700 2TB 的固態硬盤，最後才發現，這款SSD用上了 232 層的 3D NAND 結構。
於是消息刷屏網絡，廣大網友是興奮不已，因為這可能是第一次，中國大陸廠商在半導體領域，技術全球第一。
那麼問題就來了，一家成立僅7年多的公司，怎麼就能夠在技術上超過三星、美光這些巨頭呢？這裡要提到長江存儲自研的一個3D技術，那就是Xtacking，也稱之為「晶棧」。
我們知道芯片提升性能的常見辦法是提升工藝，比如從14nm提升至10nm，再7nm，5nm，3nm，這種方法是平面微縮。
而在NAND這種存儲芯片中，大家發現，當工藝提升至15nm左右後，再微縮工藝，會導致數據不穩定，有可能出現丟失、錯亂等現象。
而NAND是用於SSD等存儲設備的，一旦存儲的數據出問題了，那這設備擁有再高的性能，也沒人用，數據穩定安全大於一切。
於是存儲芯片廠商們，在15nm後，已經不再是提升工藝，而是改變策略，不再從平面來微縮晶體管了，而是採用上、下堆疊，變成3D結構。
而XX層3D NAND閃存，即代表着這塊芯片，是採用了上下XX層的堆疊技術，堆疊的越多，技術越先進，存儲密度越高。
存儲芯片其實分為兩個功能區的，一個是負責存儲數據的單元，一個是讀取/存入數據的單元，這兩塊是相互獨立，但又緊密聯繫的。
而長江存儲在不斷的研究中發現，如果讀取/存入數據的單元，將工藝進行微縮，比如提升至14nm，12nm等，與15nm工藝相比，是可以大幅度的提升讀取/存入數據的速度的。
而存儲數據的單元，則不能提升工藝，只能維持在15nm或更成熟的工藝，一旦提升工藝，穩定性就下降了。
於是長江存儲有一個大膽的想法，既然這兩部分是相互獨立的，且特性也不一樣，那乾脆就將他們分開好了，用不同的工藝來製造。
長江存儲的Xtacking就這樣誕生了，他是一種3D立體結構，其中存儲單元和讀取/存入數據的單元是分屬不同的晶圓上的。
這樣存儲數據的單元，採用成熟一點的工藝來製造，保證數據的穩定性。但是讀取/存入數據的單元，則採用先進一點的工藝來製造，保證讀取/寫入的速度，再通過電路將兩者連接起來。
這樣，製造出來的3D NAND閃存，既能夠保證數據的穩定性，又能夠保證良好的讀取/寫入性能，達到兩者兼顧的目的。
同時採用Xtacking技術來製造芯片，還能夠大大縮短芯片周期，因為讀取/寫入部分， 與存儲部分，可以分開製造，採用不同工藝，能夠大大提高生產效率。於是長江存儲就靠Xtacking這一技術，超過了三星、美光等巨頭，率先全球量產232層3D NAND。
當然，技術是超過了，但後果很嚴重，美國被嚇住了，將長江存儲拉入了「實體清單」，對一些先進設備進行了限制，可以預測的是，在這樣的情況下，這一先進工藝要擴產，比較困難了，估計會錯過通過技術，搶佔市場的窗口期，而這也是美國的目的。
