台積電3nm細節曝光:2.5億晶體管/mm² 能耗性能大幅提升

集微網消息(文/木棉)據外媒報道,台積電近日透露,其未來的3nm製程工藝的發展目標是在工藝封裝上達到2.5億晶體管/mm²!

台積電首席執行官確認3nm節點的開發正在按計划進行,計劃於2021年進行風險生產,並於2022年下半年開始批量生產。此外,台積電決定3nm採用FinFET晶體管技術。

資料來源: WikiChip Fuse

性能提升上,台積電5nm較7nm性能提升15%,能耗提升30%,而3nm較5nm性能提升7%,能耗提升15%。

3nm製程是半導體產業歷年最大手筆投資,更是龍頭爭霸的關鍵戰役。據了解,台積電3nm工藝總投資高達1.5萬億新台幣,約合500億美元,光是建廠就至少200億美元了。

作為台積電的主要競爭對手,三星追趕台積電的企圖一直沒有停過,三星在14納米製程大幅落後台積電後,隨後的10nm、7nm製程更被台積電大幅領先,三星因而跳過5nm,直接決戰3nm製程,計劃在2030年前投資1160億美元,希望超越台積電成為全球第一大晶圓代工廠。(校對/ Jurnan )