近日，國行版本的三星Galaxy S23（型號為SM-S9110）、Galaxy S23+（型號為SM-S9160）已經獲得3C認證，再加上此前就已經入網的Galaxy S23 Ultra，三星2023年Galaxy S系列旗艦已全部登場。認證顯示近期入網的兩款手機與上代機型一樣仍配備25W的充電器。
自從前幾年的三星Galaxy Note 7爆炸門後，三星後續推出的手機的充電功率基本都沒有多大的提升，最高也僅是頂配旗艦的45W快充，對比國內各大廠商動輒一兩百瓦的充電功率，甚至百瓦快充下放到千元價位，就連隔壁蘋果都把PD快充功率提高到了30W了，如此對比的話，三星這個萬年不變的25W快充就顯得很沒誠意了。
Note 7
外觀渲染圖曝光
近期知名爆料人士OnLeaks曝光了三星Galaxy S23渲染圖。Galaxy S23的整體外觀設計延續了上代S22的風格，後置採用三攝，攝像頭位置的設計風格參考了Galaxy S22 Ultra上的排列方式，機身正面基本與Galaxy S22保持一致。
配置方面
據此前爆料信息，三星Galaxy S23屏幕尺寸是6.1英寸，刷新率為120Hz，採用直屏方案，機身三圍尺寸為146.3×70.8×7.6mm，寬度厚度接近上代三星Galaxy S22（146x70.6x7.6mm），單手操作體驗良好。
核心配置上，目前可以確定的就是三星Galaxy S23系列機型均搭載高通即將推出的旗艦處理器高通驍龍8 Gen2，且將Galaxy S23與Galaxy S23+將支持25W有線快充，而Galaxy S23 Ultra則會採用45W快充方案。
驍龍8 Gen2
高通驍龍8 Gen2是高通將於今年11月推出的年度旗艦SOC，明年大部分安卓旗艦都會搭載該處理器。近日博主@i冰宇宙 爆料稱，高通驍龍8 Gen 2芯片採用1+2+2+3架構，性能總體上提升10%，能效比不錯，目前看到的CPU頻率是2.84Hz、2.4GHz、2.4Ghz和1.8GHz。
去年年底發佈的驍龍8 Gen1由於採用了三星4nm製程工藝，導致其功耗控制不得當翻車了，使用體驗不及聯發科天璣9000，這一現象使得今年上半年不少廠商在旗艦機上除了採用驍龍8 Gen1外，還選擇發佈搭載聯發科天璣9000的同型號機型。直到今年五月高通推出台積電工藝的驍龍8+ Gen1後才打平聯發科天璣。同時高通後續的芯片也是全面轉戰台積電工藝了，而且這一代驍龍8 Gen2似乎重點提升了能效比，今年應該不會再出現功耗翻車這一現象了。
目前搭載驍龍8 Gen 2芯片的小米13系列和三星 Galaxy S23系列手機已經入網，拿下國內首發的應該還是小米13系列。
