中美芯片巨頭重磅和解,向來積極打壓中企的美光和中國DRAM內存企業晉華,在歷經六年的商業盜竊指控和力證清白的博弈後,終於達成了全球和解協議。
2024年2月底,美國加利福利亞聯邦法院裁決中國晉華無罪,駁回了美光以及美國司法部針對晉華商業機密盜竊的指控。
福建晉華
晉華終於在中美貿易戰的大背景下“奇蹟”般的獲得勝利,但晉華自身也被打壓的元氣大傷,一度差點落得靠清算廠房設備續命。
在美國的高壓制裁下,哪怕是國內也沒有企業敢跟晉華合作,廠房內的機器幾乎沒法開工,晉華幾乎退出了DRAM內存行業。
當我們深入了解這場不見硝煙的拉鋸戰,大家會細思極恐的發現,美光打壓晉華的目的已經達到,晉華不再對美光構成威脅。
美國相關部門其實是在配合美光向中國存儲芯片市場伸出了暗手。
美光死死咬住晉華長達六年之久,美國法院判定晉華無罪這招兒是給外人看的,根本上是美光撤回了對晉華的指控。
彭博社透露的郵件
因為在2023年12月24日,彭博社曝光的美光內部郵件透露,兩家企業將在全世界撤回針對對方的指控,並終止所有的訴訟。
美光願意“放過”晉華,無外乎有兩點原因,一是晉華已經被拉入黑名單,它已經被制裁的沒啥競爭力了,根本對美光造成不了市場威脅。
二是美光在華的銷售額佔總營收的份額,已經從2018年的58%驟降到了2022 年的11%,再加上2023年中國在關鍵基礎設施領域禁售美光芯片,美光已經被中國視作重點打擊的對象。
但美光的反應也超乎我們想象,它不僅沒有反抗,而且還宣布在西安投43億元建廠,種種現象說明了美光是極度依賴中國市場的。
但想了解美光晉華案的深層原因,以及美光撤回對晉華指控、給中國納投名狀的真實意圖,我們還得從2016年、中國存儲芯片爆發的元年說起。
去年中國一共從海外進口了4796億塊芯片,總價值高達3502億美元,其中佔大頭的是計算芯片(如手機移動端的計算處理器),一共1763億美元。
我們注意到,存儲芯片(NAND閃存和DRAM內存佔大頭)一共購買了789億美元,明顯存儲芯片是第二大細分市場。
芯片進口花的錢比石油都多,這句話絕不是聳人聽聞。
而晉華則是中國存儲芯片的破局者。2016年2月,福建電子信息集團、晉江能源一起出錢,將台灣省專業搞存儲的聯電拉了進來,聯合成立了DRAM內存製造公司。
聯電看中了大陸的市場,老闆曹興誠當時還是有名的愛國商人,當時他想在內地推行所謂的“大陸芯片計劃”,大陸出錢,聯電負責DRAM技術研發。
同年6月同樣是搞DRAM內存的合肥長鑫在安徽成立,7月紫光集團、國產集成電路產業投資基金和湖北科投一共砸了240億美元,在武漢成立了專攻NAND閃存技術的長江存儲。
至此中國存儲芯片創業初期三巨頭格局,正式形成,中國存儲產業風暴已至。
中國存儲芯片三巨頭來勢洶洶,重點突圍的方向就是韓國美國壟斷的內存市場,當時我們定下的目標,就是在5到10年內,突破存儲芯片被美韓巨頭壟斷的局面。
但西方對中國新興存儲企業的絞殺同時起步,讓核心研發交給台灣聯電的晉華成為重點打擊對象,說實話就是晉華沒有掌握核心科技,交給了外人。
晉華遭遇空前劫難的直接原因,就是技術團隊的來源和美國美光產生了交叉,被抓住了命脈,美光當時在中國台灣有一家子公司,晉華的總經理曾經就在這裡任職,後面就跳槽到聯電當副總經理。
晉華成立時,大陸這邊先是拿了3億美元從國外採購設備,後面又給了聯電4億美元的研發費,讓聯電拿錢搞32nmDRAM芯片的研製,最終轉到晉華這邊來量產。
正是這種合作模式給日後晉華埋下了極其大的隱患。
2017年11月晉華12寸晶圓廠封頂,計劃在2018年試產,計劃第一期每月的產能達到6萬片,第二期實現12萬片的產能,就等着聯電那邊把技術送過來。
正當所有人期待晉華率先實現中國存儲芯片破局時,聯電要開始坑晉華了,早在2017年2月,台灣所謂的司法部門突襲檢查聯電的辦公地,強行帶走了有關美光的電子設備和信息。
其實之前三名前華亞科技(美光的合資公司)的員工從美光離職時,順手牽羊了一些專利材料到了聯電,其中就包括32nmDRAM研發的技術資料,但是屁股沒擦乾淨留下了痕迹。
但聯電的管理層跟晉華解釋說這些轉移給你的技術都是“清潔技術”,也就是乾淨的。
所以就在2017年9月,美光在台中法院控訴聯電竊取它的DRAM技術和商業機密,並把這些重要文件泄露給了晉華,於是晉華躺着中槍了。
同年12月,美光在美國加州聯邦法院將晉華和聯電一起告了,指控聯電偷竊美光技術並轉交給了晉華。但是,美光能證實聯電竊取了技術,但沒有提供聯電將技術轉移給晉華的證據。
在後來的接連指控中,美光要求晉華賠償200億美元的天價損失,並且對晉華的總經理、高管和核心技術人員發出全球通緝令。
晉華剛建的廠房還沒開工,就面臨美企全面封殺的可能性。
被聯電坑慘的晉華,發布了一篇200字的回應,主要是稱晉華沒有竊取其他公司技術的行為。
晉華真的是花錢買罪受,還被豬隊友坑,隨即在2018年1月,晉華拉着聯電一起在福建法院發起對美光的反擊,控訴美光的英睿達、鉑勝等型號DRAM內存和固態硬盤,在中國侵犯晉華和聯電的專利,並索賠1.96億元。
當時美光在西安工廠一年的測試產能,就佔到全球的九成,美光2018年一半的營收都來自西安工廠。
作為回擊,2018年7月,美光被福州法院勒令立刻停止售賣上述DRAM產品,西安工廠立即停止生產相關產品。
但就當晉華奮起反擊美光、力爭自身清白時,曾經的隊友台灣聯電竟反水了,聯電後來向美國司法部認罪,連竊取美光專利機密的過程都給供了出來,這下晉華跳到黃河都洗不清,直接被聯電賣到了絕境。
2018年7月6日,美國開始對中國商品新增25%的關稅,中美貿易戰正式打響,同時美光頻繁遊說美國商務部,意圖推進對華芯片制裁和打壓中國存儲產業,晉華、長江存儲、合肥長鑫都是美光打壓的對象。
10月29日,美國商務部以“晉華生產DRAM內存的技術可能來自美國“為由,正式將晉華拉入出口管制清單。
隨後晉華廠房內的美系設備全部停擺、終止調試,已經購買還未到貨的芯片設備全部暫停,歐美專家全部撤出,就連聯電背刺晉華,停止了DRAM的合作開發,召回了核心技術骨幹。
所以你看美國的狼子野心就顯露無疑了,明明是聯電盜竊了美光的技術,聯電跟晉華合作也是在後,你不制裁聯電反倒制裁晉華,這是怎麼回事?因為你晉華就是不跪!
晉華至此被美光死死咬住,DRAM的研發和投產一直被拚命阻止,聯電也開始配合美國商務部,轉而直接反水。
2020年10月聯電終於承認了侵犯美光專利和盜取商業機密的事實,並賠償了6000萬美元,以此換來與美國商務部的和解,同時美國司法部撤銷了對聯電的指控。
2021年11月,聯電跟美光達成和解協議,賠償了一大筆和解金,但這個數額是對外保密的,雙方間的訴訟各自撤回。
而且更讓晉華想不到的是,聯電還協助晉華的員工跳槽到華邦電子,聯電到做法真的令人不齒。
至此以美光為首的美國勢力,開始全面絞殺中國存儲企業。2022年12月,長江存儲被美國拉入實體清單,原因就是美光向美商務部投訴長存給華為供貨。
國內DRAM內存企業僅剩下合肥長鑫一家在堅持,全球DRAM市場形勢非常嚴峻,三星、SK海力士和美光瓜分了全球近95%的市場份額,它們肆意給DRAM漲價獲取超額利潤,壟斷全行業DRAM的價格。
但即便在高壓之下,有媒體在2021年年初報道,晉華已經攻克25nm內存芯片,並具備小規模量產的能力。同時長江存儲已經突破128堆棧NAND閃存技術,技術水平超過三星,踏入全球領先行列。
從2023年開始,中國開始重點打擊美光,限制美光產品在國內銷售,美光CEO梅赫羅特拉先後在2023年11月、2024年3月前往中國示好,同時美光宣布在西安投入超43億元建廠和擴產。
美光在打壓中企的同時,自身在中國市場也是屢屢碰壁,和晉華和解,就是美光走的重要一步棋,待中國存儲企業產品商業化的關鍵時期,晉華這個威脅已經除掉,美光開始尋求重返中國市場,同樣也是為了搶奪市場份額。
晉華的案列也告知我們,核心技術要藏好,要把握在自己手中,長江存儲搞自研X-tacking技術、合肥長鑫行事低調來保護技術團隊和技術來源,都是中國存儲順利崛起的重要一環。