三安集成砷化鎵代工平台助力WiFi 6E推廣

（全球TMT2022年6月30日訊）三安集成憑藉成熟的GaAs HBT/p-HEMT工藝平台，是目前國內唯一一家有能力量產WiFi 6E芯片的企業。目前，三安集成已與國內頭部射頻企業達成深度合作，實現多款WiFi 6E前端模塊的量產，產品覆蓋18.5-23.5dBm中高功率等級，具備優越的TX端線性功率和極限1.5dBm的RX端NF值。客戶端產品已經成功打入國際市場，雙方也正在針對下一代WiFi產品展開新一輪合作。

三安集成的GaAs HBT/p-HEMT出貨量在國內一直保持領先；去年8月，三安集成的濾波器產品也進入了全球主流射頻前端平台。三安集成成熟的製造管理和可靠的產能保證是幫助客戶快速搶佔市場的利器。繼承母公司三安光電二十年化合物半導體製造管理經驗，三安集成發展了成熟全面的砷化鎵HBT/p-HEMT工藝型譜，支持客戶在複雜通信場景下的不同應用需求。三安集成面向未來市場，積極投入產能，在泉州南安芯谷園區建設了2,300畝的製造基地，規划了20,000片6寸砷化鎵晶圓和256Mu顆雙工器的月產能，為客戶產品落地和快速迭代提供可靠支持。