三星GAA 3納米量產進入倒計時。
本周內可能會宣布三納米工程批量生產。
縮小體積，改善電力效率。
三星電子在世界上首次進入了以新一代Gate-All-Around為基礎的3納米工程批量生產的倒計時。GAA新工程被評價為能夠一口氣趕上全球晶片(半導體委託生產)第1位的台灣TSMC的三星電子的“決勝手”。這是比TSMC先開始6個月左右的3納米工程量產，搶佔高通、英偉達等核心顧客，甚至甩開宣布再次進軍英吉利的英特爾的追擊。
“三星管理層對三納米量產的意志非常堅定”
據半導體業界28日稱，三星電子有望在本周內正式公布以GAA為基礎的3納米工程的量產。據悉，三星電子正在內部討論是否同時公布確保以3納米為基礎的新客戶公司的相關內容。
雖然有傳聞稱三星電子沒能克服技術上的局限，將推遲量產時期，但是公司的相關人士斷然拒絕了這一傳聞。一位業界相關人士表示:“據我所知，3納米GAA半導體的開發按照現有計劃順利進行。由於管理層要在上半年內批量生產3納米的意志非常強烈，因此本周內可能會有消息。”通過此次量產，三星電子有望在世界半導體企業的超細公平競爭中領先一步。因為3納米相當於將半導體電路線幅縮小到了頭髮粗細的10萬分之3。半導體的電路間隔越細微，性能就越高，電力消費就越少。隨着晶片(半導體原版)生產的半導體數量的增加，生產效率也將得到改善。這就是半導體業界展開納米技術競爭的原因。
三星電子在此基礎上增加了GAA新工程。也就是說，乾脆改變了為半導體內電流流動而開關的晶體管製造技術。目前在半導體工程中使用因長得像魚翅而得名的“FinFET技術”，但隨着半導體的大小不斷變小，遇到了電流控制的局限性。這是因為起到控制電流作用的閘沒能起到應有的作用，產生泄漏電流，導致電力效率下降。
相反，GAA結構可以更加細緻地調整電流的流動，因此電力效率也會得到進一步改善。pin - pet有3個電流通道，但GAA的結構是所有方面都有電流通過，因此晶體管的尺寸會變小。因此，最終可以使半導體更加小型化。如果利用3納米GAA工程，與7納米finpet相比，芯片面積可以減少45%，耗電量可以減少50%。預計性能也將提高35%左右。該技術與finpet工程的兼容性較高，具有可以原封不動地使用現有設備和技術的優點。
關鍵是確保穩定的收益率
業界認為，穩定的收率(良品比率)和確保顧客公司是關鍵。因為最近有傳聞稱三星電子3納米半導體的收益率下降，人們對三星電子成功批量生產的可能性表示懷疑。在3納米量產過程中，每片晶片生存的半導體越多，利潤就越高，可以降低半導體價格。這是顧客公司選擇半導體公司的最大理由。
三星電子的英鎊技術力比預想的要快。據觀測，以到2030年為止成為系統半導體領域第一為目標的三星電子的《系統半導體2030展望》也將以公開3納米為起點走上正軌。
TSMC也曾表示計劃在今年下半年批量生產3納米半導體。
