第三代半導體進入爆發期,關注4隻龍頭股

隨着新能源汽車、光伏風能等新型發電以及5G通訊產業的市場的快速發展,碳化硅需求井噴式的爆發。碳化硅的導電性能、耐高溫性能、開關頻率等優於硅基,是比較理想的第三代半導體材料,但是料材少且生長方法複雜,所以價格也更高。但隨着技術不斷成熟,產業鏈不斷完善成長,碳化硅成本將不斷下降,從時間周期來看,最早的碳化硅商業化始於2001年碳化硅二極管,符合功率半導體里新的產品要20年的發展時間,所以碳化硅行業已達爆發期。

碳化硅上、中、下游產業鏈:(1)上游通過原材料製成襯底材料然後製成外延材料;(2)中游包括碳化硅器件、碳化硅功率 半導體、碳化硅功率模塊;(3)下游應用於5G通信、新能源汽車、光伏、半導體、軌道交通、鋼鐵行業、建材行業等。

(1)碳化硅襯底:美國的 Wolfspeed、II-IV以及國內山東天岳三家獨大,佔比合計高達98%。天岳先進(688234)是一家國內領先的寬禁帶半導體(第三代半導體)襯底材料生產商,主要從事碳化硅襯底的研發、生產和銷售,產品可廣泛應用於微波電子、電力電子等領域。寬禁帶半導體襯底材料在5G通信、電動汽車、新能源、國防等領域具有明確且可觀的市場前景,是半導體產業重要的發展方向。


碳化硅外延片:楊傑科技(300373)主要從事碳化硅芯片器件及封裝環節,不涉及材料領域。目前可批量供應650V、1200V 碳化硅SBD、JBS器件。


(2)碳化硅器件:三安光電(600703)化合物半導體材料的研發與應用。公司湖南三安投資建設包括但不限於碳化硅等化合物第三代半導體的研發及產業化項目,包括長晶—襯底製作—外延生長—芯片製備—封裝產業鏈。


斯達半導(603290)IGBT為主的功率半導體芯片和模塊的設計研發和生產,並以IGBT模塊形式對外實現銷售。公司在嘉興投資建設年產8萬顆車規級全碳化硅功率模組生產線和研發測試中心。


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