近日，長江存儲向三星授權關鍵技術專利，這一事件不僅標誌着中國在存儲芯片技術上的實力，也展示了長江存儲在3D NAND技術領域方面的領先。
長江存儲成立於2016年，雖然是一家相對年輕的公司，但其在3D NAND技術上的發展速度令人矚目。短短几年間，長江存儲通過自主研發和國際合作，成功實現了從32層到64層再到128層的技術跨越。如今，其270層高密度NAND芯片更是引領行業潮流。
長江存儲的核心技術之一是其自研的“Xtacking”架構，這是一種創新的三維NAND閃存架構，旨在提高存儲密度、I/O接口速度和生產效率。該技術通過在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元，然後通過金屬互聯通道（VIA）將兩片晶圓鍵合在一起，從而實現更高的存儲密度和更快的I/O速度。
三星為何與其簽署專利許可協議？
三星電子作為全球存儲芯片行業的領頭羊，為何會選擇與長江存儲簽署專利許可協議？答案在於長江存儲在“混合鍵合”技術上的全球領先地位。隨着3D NAND技術堆疊層數的增加，傳統架構中外圍電路占芯片面積過大，導致存儲密度降低。而“混合鍵合”技術通過直接貼合兩片晶圓，摒棄了傳統的凸點連接方式，不僅縮短了電氣路徑，提升了性能和散熱能力，還優化了生產效率。
三星計劃於2025年下半年實現下一代V10 NAND的量產，預估其堆疊層數會達到420至430層。一旦層數超過400層，底層外圍電路所承受的壓力便會大幅增加，進而對芯片的可靠性產生影響。為解決這一難題，三星決定在V10 NAND中採用W2W混合鍵合技術。業內人士指出，當下掌握3D NAND混合鍵合關鍵專利的公司有美國Xperi、中國長江存儲以及中國台灣台積電，三星幾乎難以繞開長江存儲的專利布局。
業內分析人士認為，在未來的V10、V11、V12等NAND產品的開發過程中，三星仍將繼續依賴長江存儲的專利技術，共同推動3D NAND技術的持續創新與升級。
值得一提是，根據韓國科學技術評估與規劃研究院 （KISTEP）於2月23日發布的“三個改變遊戲規則領域的技術水平深度分析”簡報， 39名國內半導體專家進行的調查顯示，中國在除先進封裝以外的所有半導體技術領域的基本能力都超過了韓國。
長江存儲的專利已經在行業內布局多年，通過長期積累，公司已申請專利超過1萬件，並在國際專利戰中展現了強大的防禦能力。2023年11月8日，長江存儲以八件專利起訴美光，2024年7月又追加了11件專利的起訴，兩案併案處理。這種技術自信和專利布局的深度，為中國科技企業在國際競爭中贏得了重要席位。
長江存儲在2018年推出自研的Xtacking技術之後，在CBA架構方向上已經進行了大量的投資。2021年，長江存儲還與Xperi達成DBI混合鍵合技術等相關專利組合許可。這些方面的積極投入都成為了長江存儲能夠快速在數年時間內在NAND Flash技術上追平國際一線廠商的關鍵。
長江存儲的最新終端產品包括其第五代3D TLC NAND閃存產品，共有294層結構，其中包含232個有源層。通過技術升級，長江存儲成功將存儲密度提升至與行業領先水平相當的高度，並實現了目前商業產品中最高的垂直柵密度，進一步鞏固了其在全球NAND閃存市場的競爭力。
介紹幾款典型產品：
致態TiPro9000 PCIe 5.0 NVMe SSD，這款產品採用先進的PCIe 5.0主控和Xtacking 4.0架構顆粒，順序讀寫速度分別高達14528.79MB/s和13914.89MB/s，性能卓越。致態TiPlus7100固態硬盤《黑神話：悟空》聯名版2TB，不僅設計獨特，還具備高達7439.1MB/s的順序讀取速度和6462.9MB/s的順序寫入速度，為遊戲玩家提供了快速的遊戲體驗。
致態靈·先鋒版移動固態硬盤2TB，傳輸速度超過2100MB/s，支持多種設備，是內容創作者的理想選擇。PC411商用消費級固態硬盤1TB，廣泛應用於各類整機，順序讀寫與隨機性能表現出色，適合多種使用場景。最後，PE321企業級固態硬盤，順序讀寫速度雙雙超過7100MB/s，隨機4K讀寫性能分別達到1776K IOPS和1450K IOPS，耐久度高達3個DWPD，是企業級應用的可靠選擇。
