經常關注我們三易生活相關內容的朋友可能還記得，這些年我們一直在強調智能手機行業的“區別對待”問題。簡單來說，這指的是定位更高的旗艦手機，在硬件配置、性能表現、做工用料等方面，與其價格不成比例地明顯優於“非旗艦機”的現象。
這一點在影像傳感器和SoC領域，可以說是表現得最為明顯。一方面，哪怕是三五年前、價格早已跌倒兩千元以內的老款頂級影像旗艦，它們的影像配置和拍照效果，大概率也依然可以“秒殺”現在的千元、兩千元級別新機。
另一方面，當最近這幾年的頂級旗艦SoC每年動輒性能提升百分之二三十、甚至更大幅度時，那些千元機所使用的“（廠商通常自稱）省電向”SoC方案，卻往往還在用着數年前的老舊架構與製程。甚至就算它們真的更新換代，進步幅度也要遠低於同品牌的旗艦平台。於是這也就造成了在整個手機市場里，頂級旗艦與千元機、入門機在性能和體驗上的差距，已經被越拉越大。
但如果我們要說，對於大多數普通用戶的使用場景而言，真正造成手機“速度”體驗差異的根源，根本不是高中低端SoC那看似巨大的架構與性能差異，而是別的因素，大家會不會感到驚訝呢？
驍龍680的GeekBench 6.1.0跑分成績
為什麼會這麼說呢？首先，我們以古老、但如今依然還有廠商在使用的“Low-End（絕對低端）”SoC驍龍680為例，它發佈於2021年，所使用的CPU架構（A73+A53）更是可以追溯到2016年年中，距今差不多已經有近10年時間。
第五代驍龍8至尊版的Geekbench 6.4.0跑分
但即便是這樣一款“超古代芯片”，它目前在跑分軟件GeekBench 6里的單核與多核成績，也能達到當下最先進量產SoC（以第五代驍龍8至尊版為例）大約1/8的水平。如果換成安兔兔評測V11這類綜合性能評測軟件，那麼驍龍680的整體性能表現，則大概是當下頂級旗艦的1/15。
聽起來差距很大對不對？但大家要想到，這畢竟是近10年前的古老架構、4年前的老芯片了。在如此大的代差面前，哪怕是15倍的性能差距，似乎也顯得合情合理。
更為重要的是，不管是怎樣的“性能測試軟件”，它們所測得的成績都是各自設備在理想、滿負荷狀態下的性能指標。但大家要知道，對於那些新的旗艦手機來說，在日常使用場景下，幾乎不太可能“逼出”它們的極限性能水準。
於是乎，在實際的日常使用過程中，這其實就構成了一種變相的“不公平”比拼。因為低端手機本身性能太差，所以它們反而可能在瀏覽網頁、刷微博、在線購物等場景就已經“竭盡全力”，CPU和GPU滿負載運轉了。而對於高端的旗艦手機來說，別說日常低負載場景，就是拿來打重負載遊戲，它們也實際上也用不到理論性能測試里體現出的“峰值性能”。
換句話說，站在消費者的角度而言，“驍龍680們”雖然客觀上技術落後、性能拉胯，確實是應該被淘汰、甚至鄙夷的對象，但它們在典型的日常使用場景里，相比於現款的頂級旗艦機型，光看性能、遊戲幀率的話，還真不見得會落後到理論上那麼大的程度。
那麼可能有的朋友會說，就算這樣，但低端機的系統往往會格外簡化，功能上有大量缺失。
的確如此，但正因為手機廠商知道低端機性能不行，所以這種系統層面的功能簡化，反而會“幫助”這類機型些微提升流暢度。比如去掉大量的過度動畫效果、減去端側AI功能等等，雖然可能“不好看”，但俗話說“傻快也是快”對不對？況且現階段很多手機上的AI功能，本質其實都是在雲端服務器上運行，與手機本身的性能高低還真不見得有太多關係。
那麼對於現階段的旗艦機與低端入門級機型來說，到底哪個部分才是真正對“性能差異”、“用戶體驗”影響最大的呢？
答案，其實是閃存的型號與品質。
Zone UFS理論上能夠完全避免傳統閃存“隨機寫入”導致的碎片問題
縱觀現在已經發布、或是即將發布的旗艦新機就不難發現，各家在新的閃存技術上又“玩出了花”。有的廠商開始使用UFS 4.1的“滿血”四通道模式，也有廠商選擇了分區閃存（Zone UFS）技術，通過將熱數據完全存儲在SLC Cache、且在硬件上避免應用碎片的方式，來讓新款旗艦機得到數倍的隨機讀寫性能提升。
這還沒完，日前有消息顯示，下一代的UFS 5.0閃存標準也已經接近制定完成。其目標讀寫速度會達到10000MB/s的水準，幾乎相當於PC上早期PCIe 5.0 SSD的水平，比現有的UFS 4.1二通道閃存快了超過100%，哪怕是對比剛上市的四通道UFS4.1方案，速度也能再提升接近50%。
而如今的入門級機型呢？有意思的是，“得益”於閃存行業的整體技術換代，它們也有新的閃存可用，而且確實比過去容量更大、價格也有望更低。甚至就連名義上的速度，現在的入門級手機起碼也能配上個UFS2.0級別的閃存，空盤測試怎麼著也能有500多MB/s的水準，比前些年臭名昭著的eMMC閃存，看起來還是要快多了。
可問題就在於，一方面哪怕是不考慮UFS4.1四通道這種剛上市、還沒全面鋪開的“性能怪獸”，如今典型旗艦機所採用的雙通道UFS4.1滿血速度也能有4000MB/s上下，已經是入門級手機的七、八倍之多。
而且這個七八倍的性能差可無關“負載”，它在手機日常使用的任何時候都能體現出來。比如在應用安裝、加載，甚至是回看照片或視頻時，頂級旗艦機型比入門機的閃存速度快這麼多，真就是很明顯“流暢”與“卡頓”的區別。
這還沒完，還得考慮到手機在長時間使用之後的情況。眾所周知，本身會購買、使用低端機型的用戶，Ta們的換機周期就可能比其他人更久。但問題就在於，入門級產品配備的“看起來大容量”的閃存，有很大概率會是廉價的QLC方案。
而QLC的最大缺點是什麼呢？沒錯，它比TLC閃存更容易發生掉速現象。而且一旦掉速，QLC閃存的實際性能就會變得非常慘不忍睹。有多慘呢？根據網友實測，即便是價格並不便宜、理論上用的QLC品質“沒那麼差”的設備，在閃存發生掉速後，實際讀寫也只剩下50MB/s左右的水平，甚至還不如一些USB2.0時代的U盤快。
這樣一來，一台用了一段時間、已經發生閃存掉速的低端入門機和一台剛買幾個月，閃存壽命還有許多的旗艦機對比的話，儘管它們的“日常低負載算力”差異可能只有三四倍、甚至更少，但閃存讀寫速度的差距卻可能高達幾十、甚至上百倍之多。
大家不妨想象一下，假如同樣是在微信上打開相冊發送照片這個“典型場景”，旗艦機可能只要1秒就能加載完成，但低端機此時就有可能直接卡住長達一兩分鐘、甚至更久。這樣的體驗差距，顯然就已經遠遠無法用SoC的性能、代次差距去解釋了。
而且由於廠商們往往並不會主動公開（非旗艦）手機的閃存型號和具體技術規格，這就使得“低端機搭配QLC大容量閃存”的策略，對於不了解的用戶來說，反而可能會因為顯得“性價比不錯”，而變得相當有欺騙性。
【本文部分圖片來自網絡】
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