众所周知， 自从芯片工艺进入14nm之后，所谓的XX纳米，就是数字游戏了。
不像以前，XX纳米，是与芯片本身的栅级宽度对应的，但自从进入14nm之后，这些早就不对应了，且各大厂商的工艺也不一致了。
高通的高管，甚至直白的讲，所谓的XX纳米，只是营销需要而已，晶圆厂喜欢把数字搞的小一点，显得技术更厉害。
这背后的意思就是，所谓的5nm，不一定是5nm，3nm也不一定是3nm，特别是各大厂商的同一种工艺，比如都是5nm，技术指标可能完全不一样。
就像英特尔，将自己的工艺改成intel4、intel3、intel18A之类的一样，并不代表工艺就真的是4nm、3nm、1.8nm了，只是厂商自己这么叫的。
那么问题来了，在这样的情况之下，那么三星的5nm、台积电的5nm、英特尔的5nm，是一样的么？怎么来判断究竟谁更强？
其实有一个非常重要的指标，基本上只要看这个指标，大家就会明白究竟谁是在忽悠，谁是真材实料了，这个指标就是晶体管密度，也被人称之为芯片工艺的照妖镜。
如下图所示，这是目前几家最顶尖的大厂，10nm及以下工艺的晶体管密度，单位是每平方毫米，多少亿个晶体管。
可以看到，在10nm时，明显英特尔更厉害，每平方毫米高达1.06亿个，而三星、台积电差不多，大约在0.5亿个左右，约是英特尔的一半左右。
而到了7nm时，intel也是最厉害，有1.8亿个左右，而三星、台积电大约是0.95亿个，也约是英特尔的一半，这时候三大厂商其实还是相对靠谱的。
但是到了5nm时，差距就来了，英特尔依然保持着稳定，高达3亿个晶体管每平方毫米，而台积电也提升了很大，达到了1.73亿个，但是三得明显忽悠了，只有1.27亿个了，提升有限。
而到3nm时，就更加明显了，intel高达5.2亿个，台积电提升到2.9亿个，而三星是1.7亿个左右，落后更多了。
从这个可以看出来，三星的3nm，相当于台积电的5nm，intel的7nm，足以证明三星的3nm工艺有多水了。
偏偏三星的3nm工艺良率还不行，难怪高通等厂商，纷纷转单，不和三星玩了，良率低，工艺掺水，和台积电5nm一个水平，谁和你玩啊。
后续其实大家看谁的工艺更强，不要只看表面的XX纳米，真正最有效的还是看晶体管密度，一看一个准。
