目标 2029 年量产 MRAM 内存，力积电将与日企 Power Spin 合作

it之家 2 月 8 日消息，据日经新闻近日报道，晶圆代工企业力积电计划今年上半年与日企 power spin 达成合作，目标 2029 年实现 mram 内存量产。双方的合作中，power spin 将提供 mram 相关 ip 授权，力积电进行进一步的量产化研发和试产，最终达到量产目标。

据了解，power spin 由日本东北大学于 2019 年成立，持有 stt-mram 相关技术。

▲ power spin 商标

mram 内存是一种非易失性内存，其在拥有高速读写性能的同时可在断电下保存数据；而且 mram 的耗电量相较现有内存也更少，理论上可低至 1/100。不过 mram 也面临多重自身问题：成本过高、耐用性与可靠性仍需进一步验证。

在生成式 ai 浪潮来袭的今天，数据中心需求大量内存，能耗优异的 mram 因此成为密切关注对象，相关需求增加。日经认为，这是力积电找上 power spin 合作的重要背景原因。

力积电计划使用在日合资公司的二期生产线生产 mram 内存，以推动这一新型内存的普及。该合资公司由力积电与日本 sbi 控股于去年成立，计划总投资 8000 亿日元（it之家注：约合 388 亿人民币）在日本建设两期生产线，首期将于 2027 年建成投产，二期则预估 2029 年投入使用。

mram 现已成为半导体代工业界的前沿热点：三星之前宣布计划 2026 年量产 8nm 车用 emram；台积电近期也表示下一代 sot-mram 内存研发成功。ever spin 首席技术官远藤哲郎称，mram 内存市场规模已于 2022 年达到 300 亿日元（约合 14.6 亿人民币）。