三星GAA 3纳米量产进入倒计时。
本周内可能会宣布三纳米工程批量生产。
缩小体积，改善电力效率。
三星电子在世界上首次进入了以新一代Gate-All-Around为基础的3纳米工程批量生产的倒计时。GAA新工程被评价为能够一口气赶上全球晶片(半导体委托生产)第1位的台湾TSMC的三星电子的“决胜手”。这是比TSMC先开始6个月左右的3纳米工程量产，抢占高通、英伟达等核心顾客，甚至甩开宣布再次进军英吉利的英特尔的追击。
“三星管理层对三纳米量产的意志非常坚定”
据半导体业界28日称，三星电子有望在本周内正式公布以GAA为基础的3纳米工程的量产。据悉，三星电子正在内部讨论是否同时公布确保以3纳米为基础的新客户公司的相关内容。
虽然有传闻称三星电子没能克服技术上的局限，将推迟量产时期，但是公司的相关人士断然拒绝了这一传闻。一位业界相关人士表示:“据我所知，3纳米GAA半导体的开发按照现有计划顺利进行。由于管理层要在上半年内批量生产3纳米的意志非常强烈，因此本周内可能会有消息。”通过此次量产，三星电子有望在世界半导体企业的超细公平竞争中领先一步。因为3纳米相当于将半导体电路线幅缩小到了头发粗细的10万分之3。半导体的电路间隔越细微，性能就越高，电力消费就越少。随着晶片(半导体原版)生产的半导体数量的增加，生产效率也将得到改善。这就是半导体业界展开纳米技术竞争的原因。
三星电子在此基础上增加了GAA新工程。也就是说，干脆改变了为半导体内电流流动而开关的晶体管制造技术。目前在半导体工程中使用因长得像鱼翅而得名的“FinFET技术”，但随着半导体的大小不断变小，遇到了电流控制的局限性。这是因为起到控制电流作用的闸没能起到应有的作用，产生泄漏电流，导致电力效率下降。
相反，GAA结构可以更加细致地调整电流的流动，因此电力效率也会得到进一步改善。pin - pet有3个电流通道，但GAA的结构是所有方面都有电流通过，因此晶体管的尺寸会变小。因此，最终可以使半导体更加小型化。如果利用3纳米GAA工程，与7纳米finpet相比，芯片面积可以减少45%，耗电量可以减少50%。预计性能也将提高35%左右。该技术与finpet工程的兼容性较高，具有可以原封不动地使用现有设备和技术的优点。
关键是确保稳定的收益率
业界认为，稳定的收率(良品比率)和确保顾客公司是关键。因为最近有传闻称三星电子3纳米半导体的收益率下降，人们对三星电子成功批量生产的可能性表示怀疑。在3纳米量产过程中，每片晶片生存的半导体越多，利润就越高，可以降低半导体价格。这是顾客公司选择半导体公司的最大理由。
三星电子的英镑技术力比预想的要快。据观测，以到2030年为止成为系统半导体领域第一为目标的三星电子的《系统半导体2030展望》也将以公开3纳米为起点走上正轨。
TSMC也曾表示计划在今年下半年批量生产3纳米半导体。
