3nm时代来临！台积电3nm制程即将量产，密度比5nm高60%｜欧界

欧界报道：

近日，techpowerup报告显示，目前台积电正在开发3nm制程的工艺，N3、N3B、N3E等多个节点包含在内。同时台积电也预计在今年下半年实现N3节点的量产，在2023年下半年实现N3E节点的量产。

当摩尔定律进入3nm时代，量产3nm制程的台积电，又会给市场带来怎样的改变呢？

首先，N3E节点和N3节点应该做好明确的区分。N3E节点是在N3节点的基础上，减少了E UV的光罩数量，并且适当降低了逻辑密度，但是相比N5节点来说，密度还是比N5高了60%，不管是性能、功耗还是产量，都拥有更好的表现。

而伴随着的台积电3nm芯片进入量产，全球市场也将迎来重新洗牌，但并不完全是因为工艺制程的改进。因为前些年受到美国的制裁，大陆市场已经认识到自主研发芯片的重要性，芯片制造业正在不断崛起，目前已经探索出叠加的形式来弥补制程的缺陷，伴随着研发的不断投入，未来大陆芯片市场还将进一步改变整体市场的格局。

那么3nm作为目前最前沿的工艺制程，3nm的量产也在正在不断逼近硅基半导体的物理极限，相关半导体材料在短期内也很难再有更大的突破，未来的芯片制造产业又将何去何从？

其实后摩尔技术的选择还是比较广泛的，例如目前三星正在推动GAA和FinFET技术的发展而，出于不断进步中的技术对于工艺势必有着更高的需求。对于中国市场来说，一个全新的框架、全新的路径，都很有可能成为中国半导体技术未来的希望。

早在2020年的时候，国家自然科学基金委员会网站中就收录了有关后摩尔时代器件基础研究的一篇文章，并且明确表明，在后摩尔时代，芯片制程越来越精细，我国芯片研究水平也将不断提升，因此一系列的相关研究已经被提出，例如新材料与低功耗器件、生物启发的新原理器件、CMOS异质集成低功耗高性能器件等等。

你认为在3nm时代，芯片工艺又将走怎样的发展道路呢？

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