三星 3nm 和台积电 3nm 存在不同。从性能看，三星 3nm（3GAE）工艺的电晶体密度为 1.7 亿，大大低于台积电 3nm（N3）工艺的 2.9 亿，更接近台积电 5nm 和英特尔 7nm

Name: 三星 3nm 和台积电 3nm 存在不同。从性能看，三星 3nm（3GAE）工艺的电晶体密度为 1.7 亿，大大低于台积电 3nm（N3）工艺的 2.9 亿，更接近台积电 5nm 和英特尔 7nm
Uploaded: 2024-01-23T21:42:04+08:00
Description: 三星 3nm 和台积电 3nm 存在不同。从性能看，三星 3nm（3GAE）工艺的电晶体密度为 1.7 亿，大大低于台积电 3nm（N3）工艺的 2.9 亿，更接近台积电 5nm 和英特尔 7nm