据《北京日报》报道指中国正筹建光子芯片生产线，预计将在2023年建成，这意味着中国在光子芯片方面已走在世界前面，彻底改变当下的芯片技术路线，这让外媒惊叹中国芯片技术的飞跃发展。
据业界人士指出光子芯片将具有诸多技术优势，首先是它计算速度超级快，信息容量更大，将比当下的硅基芯片提升1000倍以上，如此将推动芯片技术取得跨越式发展，随着数据喷发式增长，如今科技行业需要性能更强大的芯片，而光子芯片将能有效满足需求。
其次则是光子芯片的功耗更低，光子芯片比硅基芯片的功耗低近千倍，当下全球各个互联网企业都为数据中心的能源消耗挠头，数据中心的耗电只有三成左右用于计算，其中七成则是发热以及为之建设的空调系统，造成极大的能源浪费。
再次是光子芯片将彻底打破硅基芯片的工艺极限，业界都认为硅基芯片的极限在1nm，而台积电的先进工艺发展到3nm已面临极大困难，台积电的3nm量产时间比预期延迟了近一年，性能却未达到预期，而且成本已高到许多芯片企业无法承受。
ASML表示用于2nm工艺的第二代EUV光刻机价格将达到4亿美元，比用于当前5nm工艺的EUV光刻机贵了3倍多，而耗电量更是数倍增长，这都说明越接近硅基芯片的极限，性能提升难度越高、成本倍增，光子芯片恰恰能有效降低成本，同时也将变革当前的芯片制造工艺。
光子芯片即将商用对中国芯片行业来说更是极具意义，这意味着中国将彻底摆脱对外国芯片的依赖，甚至还将有望由此引领全球芯片技术的发展。
由于众所周知的原因，中国目前研发7nm及更先进工艺受到ASML的光刻机供应影响，中国芯片企业订购的EUV光刻机至今未能到货，而近期ASML又被要求14nm以下的DUV光刻机都不能供应给中国。
光子芯片的量产将让中国不再需要ASML的光刻机，芯片产业的发展从此海阔天空，芯片产业的瓶颈得到突破，据悉光子芯片可以在通信、服务器芯片、激光雷达、医疗等诸多行业应用，将推动中国在诸多科技行业进入跨越式发展。
中国的5G技术已居于全球第一，自动驾驶、人工智能等新兴科技也在全球居于前列，业界人士认为相关国家正是因为担忧中国的科技可能会取得领导地位而构成威胁，才会在芯片技术上不断施加阻力，如今光子芯片的突破不仅破除了这个限制，还会成为中国在新兴科技领域的助推器。
回顾近十年来全球芯片行业向来由海外芯片企业引领，到如今短短数年时间中国芯片取得了长足进步，到如今在光子芯片方面的突破成为全球芯片技术领军者，诸多技术限制由此被牙解，如此也就难怪海外媒体惊讶不已。
