本报讯 “在国创中心建设的基础上，要将第三代半导体作为我省首批十大产业链之一，实现山西区域中心对技术链条及产业链条的带动作用。”10月11日，作为国家第三代半导体技术创新中心（山西）的牵头建设单位，中国电子科技集团第二研究所（以下简称“中国电科二所”）有关负责人介绍说，国家第三代半导体技术创新中心（山西）已迈入实际运行阶段，科研团队正围绕核心关键技术展开重点攻关，并取得了阶段性进展。
据介绍，国家第三代半导体技术创新中心是按照“一体统筹规划、多地分布布局、协同联动创新”和“存量带动增量”的建设思路，在科技部的统一指导下，由中国电科与相关省市协商设立，在北京、深圳、南京、苏州、湖南、山西等地布局建设六个区域中心，有效衔接政府支持和企业需求，联合行业龙头企业，协同全国50余家科研机构，初步形成一个“核心+基地+网络”的创新格局。9月23日，国家第三代半导体技术创新中心（以下简称“国创中心”）在北京市召开了第一届理事会第一次会议，标志着国创中心正式迈入实际运行阶段。
今年6月，国家第三代半导体技术创新中心（山西）正式揭牌。国创中心的山西区域中心正是由中国电科二所牵头建设，联合省内优势机构和高校，针对国家第三代半导体战略需求，结合我省经济转型发展要求，集聚创新要素，深入开展第三代半导体关键技术和共性技术研发，将建设成为重大关键技术的供给源头，产业集聚发展的创新高地，技术服务、成果转化与创新创业的众创平台。
“按照科技部和中国电科要求，国创中心各省市平台陆续进入实体化运行模式。我们已联合国创中心（山西）区域的其他共建单位，设立混合所有制实体化公司，主要发挥兼具科研院所和公司的特性，广聚力量，研发核心技术，孵化科技成果，引领产业发展。”据中国电科二所有关负责人介绍，作为我省确定的首批“链主”企业，该所正以第三代半导体构建千亿级产业集群为契机，打造创新发展新动能，推动我省成为第三代半导体技术创新和产业发展的引领者。
9月中旬，央视财经频道《经济信息联播》栏目，已专题报道了中国电科二所在第三代半导体装备领域取得的重要突破。原来，第三代半导体碳化硅产业链中最为重要的一个环节就是碳化硅衬底材料的制备，这种材料需要在2500摄氏度以上的高温以及真空环境中生长。由于晶体生长工艺要求苛刻，因此对碳化硅单晶生长炉装备提出了很高的要求。十年前，中国电科二所已开始涉足第三代半导体碳化硅装备的研发，先后研发出碳化硅单晶生长炉、碳化硅粉料合成炉、碳化硅晶体退火炉、籽晶粘接炉等碳化硅产业链中的多款核心装备。
目前，按照山西区域中心的发展目标，中国电科二所已联合太原科技大学、中北大学等共建单位，按照“揭榜挂帅”方式，针对第三代半导体研发过程中的11项核心关键技术展开重点攻关，并取得阶段性进展。
其中，激光剥离科研团队已掌握激光剥离技术原理与工程基础，基于工艺与装备协同研发，实现了4英寸、6英寸碳化硅单芯片的激光剥离；晶圆键合设备样机研制成功，针对不同应用对象的要求，完成了系列化产品的开发；碳化硅单晶生长炉已完成智能化8英寸碳化硅单晶生长炉定型的设计工作，实现了外购件国产化替代；碳化硅单晶生长工艺研究，已生长出6英寸厚度大于35毫米的合格碳化硅晶体。（郜 蓉）
