芯片制造是非常复杂的，整个芯片制造过程中，需要几百种设备，几百道工序。
其中比较核心的有光刻、刻蚀、薄膜沉积，这三个步骤，都对应着不同的设备，比如光刻机、刻蚀机，薄膜沉积设备等。
光刻在最前面，用光在硅晶圆上形成电路图案模版，刻蚀环节则根据这一模版对下层材料进行选择性去除，以构建出复杂的电路结构。
而薄膜沉积则是在硅片上逐层生长材料，从而搭建芯片的电路架构，这三个关键环节完成了，基本上芯片制造也就成型了。
目前在光刻机上，我们的国产设置确实落后不少，如果和ASML相比，落后个10年是有的，甚至更多。
但在刻蚀、薄膜沉积上，却都达到了顶尖水平，特别是国内有一家半导体设备公司，在这两块上，都具备全球竞争力，在刻蚀机上，甚至达到了3nm的水平。
这家企业就是中微公司，由尹志尧博士于2004年创办，至今不过20来年时间。
刚开始的时候，公司主要聚焦于等离子体刻蚀设备的研发，并于2007年就推出了中国首台电容性等离子体刻蚀设备，打破国外垄断。
以前，美国对刻蚀机这样的设备也是有限制的，不准先进的卖给中国的，但中微突破了后，限制就取消了，因为再禁毫无意义，反而会让美企失去市场。
后来，中微不断的努力，推出了众多的刻蚀机，真正达到全球顶尖水平，并且也打入了台积电供应链，其精度也达到了3nm。
不仅如此，中微公司还表示，其元件全部实现了100%的国产，完全的自主可控，不用担心卡脖子，全是国产供应链。
而除了刻蚀机之外，中微在薄膜沉积设备、MOCVD设备上，也达到了全球顶尖水平，特别是氮化镓基LED MOCVD设备，全球领先。
可见，中国企业一样能够制造出先进的芯片设备，也希望有越来越多的企业，能够像中微一样，如果大家的水平都全球顶尖，都达到3nm，我们可以全部自己搞定，那还怕什么禁令，还有什么禁令啊。
