芯片性能提升1000%！天津大学立功，首枚石墨烯芯片诞生！
硅基芯片历经了几十年的发展，在指甲盖大小的范围内，支撑了上百亿颗晶体管的布局，目前最顶尖的工艺也已经达到了3nm，但传统半导体材料的缺陷也直接暴露。
在芯片步入到7nm阶段之后，每提升一个制程工艺，在性能方面提升极其有限，但在成本上却大幅的增长，这也导致很多的企业并不会去选择最顶尖的技术，芯片厂商的成本也很难收回来。
而这恰巧也给了中国芯片突破的机会，目前国内除了在传统的硅基芯片上发力之外，将更多的重心放在了全新半导体材料的研发上，而目前石墨烯材料的呼声最高，也被认定为中国弯道超车的希望。
如今在该领域的研发再度传来好消息，天津大学科研团队再次立功了，该团队使用特殊的熔炉，实现了在碳化硅芯片上生长石墨烯，成功制备了外延石墨烯材料，也就是将当成石墨烯附着在了碳化硅晶体表面。
意味着首颗石墨烯制成的功能半导体诞生，和传统的硅基芯片相比起来，石墨烯材料将芯片性能提升了1000%，这将为“中国芯”的弯道超车带来了更多的可能性。
以往我们只听说石墨烯材料如何的好，但并没有实质性的产品给出，这一次完全不一样了，技术得到了进一步的认证，单层碳原子构成的石墨烯，在导电性和机械强度上都非常出色，很早就被认定为是理想的下一代半导体材料。
更为关键的是，中国在这方面的技术研发上，一直都处在世界顶尖水平，3nm的芯片所处的位置相当尴尬，要说用在数码产品上性能又过剩，但要用在高端的AI等领域根本就不够看，需要数万颗才能满足AI大模型的训练。
未来注定是一个智能的时代，就好比现阶段各大车企研发的无人驾驶技术，就需要庞大的算法来支撑其成熟度，看似目前的芯片性能足够用，但仍然无法保证万无一失。
而美国之所以着急，想尽一切办法打压中国半导体产业，就是因为现有的芯片技术，不足以支撑所谓的“科技霸权”，只能采用这样的手段，为自己争取更多的时间，但显然这起到了反效果。
拜登团队的打压限制，非但没有限制住中国半导体，反倒让我们下定决心自主搭建产业链，华为麒麟9000S芯片的回归，已经在很大程度上打击到了美国。
如今中国在石墨烯半导体材料上打开了突破口，很有可能会成为中国半导体持续发展的转折点，当然在石墨烯芯片还未完成量产之前，我们显然不能沾沾自喜，在低调中发展才能更加的牢固。
自主研发芯片，可不仅仅只是华为一家企业的事，国内有能力的企业都应该联合起来，打造一条属于自己的产业链，替换掉含美的一切技术，这样才不会在未来的竞争中落于下风，对此你们是怎么看的呢？
