在芯片领域里，部分核心技术被卡了脖子，因此老美一修改芯片规则，华为的高端手机就出现了无芯可用。但是，大伙肯定不知道，在芯片领域里，红外热成像芯片技术，我们早已打破技术壁垒，如今已研制出全球首款8μm芯片了。
那么，红外热成像芯片是什么？我国十多年的研发之路又如何？我国研制出8μm红外热成像芯片的意义是什么？
红外热成像芯片
其实从字面上看，就知道它是一种应用在热成像仪上的芯片，是一种一种特种芯片，它不同于我们常说的电脑、手机芯片。通过采用非制冷焦平面阵列技术，集成数万个乃至数十万个信号放大器组成一种探测器，用来接收物体发出的红外辐射，再进行光电信息处理，最后，以数字、信号、图像等方式显示出来。
因此，红外线成像芯片用于红外热成像技术中，将它置于光学系统的焦平面上，不需要使用光机扫描系统就可以取得目标的全景图像，可以提高红外热成像灵敏度和热分辨率，并进一步地提高目标的探测距离和识别能力。
研发十多年！我国从0实现突破再实现超越
提起红外线成像芯片，中国也曾在该领域被“卡脖子”。2009年之前，国内红外线成像芯片还是零基础，且拥有该技术的西方国家，实现技术封锁，国内想要用还需要花高价进口。
十多年之前，在该领域我们没有话语权，不仅需要花重金购买，而且部分特殊领域（高科技、军工领域等）想要使用人家还不卖。这种情况下，国内科企渐渐认识到，必须要打破技术封锁，实现红外线成像芯片自给自足才能满足更多科技领域的发展需要。
随着越来越多的科企加入，中国的红外线成像芯片从0实现1的突破，2009年，北方广微研发出第一颗45μm非制冷红外探测器芯片。随后10年间（2009-2019），不断地突破，陆续研制出38μm-10μm的红外芯片，而且睿创微纳于2019年研制出10微米百万像素红外芯片，标志着我国成为全球第二个掌握该技术的国家。
自此，中国的红外线成像芯片走进了世界第一梯段，成为领先的国家。转折点来到2021年5月份，睿创微纳又一次给我们带来了惊喜，成功研制出8μm的非制冷红外热成像探测器芯片。
这款芯片是全球首款，也是中国唯一研发出的芯片，它的面阵规模为1920x1080，能够满足高端红外热成像仪轻量化、高性能的需求。目前，中国成为全球领先的红外线成像芯片国家，让我们从“被卡脖子”变成了可以卡别人脖子的国家。
8μm红外芯片研制成功有何意义？
也许，有人会说，台积电都准备量产3nm，研制2nm工艺了，这8μm又有何意义呢？当然不能这么比较，这是两码事，8μm指的是像元间距，而不是工艺制程。而在红外芯片像元间距这个层面来说，8μm目前就是最先进的，它研发的意义有很多。
1、填补世界空白，并抢占先机
8μm红外热成像探测器芯片的研发成功，不仅让中国走上了世界的领先地位，更是促进了世界红外热成像核心技术的发展。这项技术突破，有着重大意义，填补了国际上的空白，推动着全球小像元红外热成像光学和图像算法等技术的发展。
当然，它的研究成功，也意味着我国在全球红外技术领域，已经占据了技术制高点，这是具有重大的现实和战略意义的一项技术突破。
2、8μm红外芯片满足红外技术的发展方向
未来，红外热成像技术会向小型化、智能化、集成化方向发展，8μm的像元间距将进一步满足热成像模组设备小型化、集成化的行业需求。而且，睿创微纳所研发的8μm红外芯片，空间分辨率越高，辨识距离越远。
也就是说，8μm红外芯片更符合高端红外热成像仪的需求，更是未来红外技术的核心，会带来产业的变革。
3、带动其他高科技行业的发展
8μm红外芯片应用领域广泛，可用于军用夜视仪、医疗医学、人工智能、物联网、自动驾驶、智慧城市、安防等高端科技领域。而且，随着红外技术的小型化、集成化的发展，越小的8μm像元尺寸的芯片被应用在更多的新领域，基于该芯片可以衍生出出更多的前沿科技。
未来，我国在8μm红外芯片具有先天优势，更可以利用这样的优势，推动其他高科技领域的发展。
高科技芯片示意图
结束语
用时十余年，我国红外芯片从0 开始突破，先是追赶再到超越，研发出全球首款8μm红外芯片。这款芯片弥补了世界空白，也标志着我国在该领域里走在了国际前沿，更会推动高端红外热成像芯片在多个新领域的广泛应用。
同时，再次证明了，只有坚持自主创新研究，才能掌握更多自主可控的技术，让更多的中国科技走向世界前沿。
对此，你怎么看？
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