3nm芯片是各大厂商关注的重点，因为芯片从7nm进步到5nm芯片，性能和功耗都有很大的提升。
但从5nm进步到4nm芯片，无论是高通芯片和苹果芯片，基本上都没有多大变化，为了拉开差距，各大厂商都想尽快推出3nm芯片。
今年早些时候，台积电、三星都表示将会在今年下半年量产3nm芯片。结果，三星的3nm芯片已经投产，台积电3nm芯片却频频传来延期的消息。
例如，台积电3nm芯片延期，苹果、英特尔等延迟推出3nm芯片；台积电3nm芯片往后延期3个月等。
对于这样的消息，台积电刘德音多次公开表示3nm芯片进展符合预期。
如今，面对3nm芯片，台积电也正式亮明态度了，并表态了，情况如下：
台积电称3纳米制程的发展符合预期，良率高，将在第四季度晚些时候量产。
据了解，台积电今年将会量产N3工艺的芯片，预计2023年就将量产N3P工艺的芯片，是其N3工艺的升级版。
台积电正式表态3nm芯片将会在今年第四季度量产，这意味着在时间上，台积电3nm工艺可能会比三星晚5、6个月。
另外，三星已经正式表示今年中已经投产3nm芯片，预计2023年正式量产GAA工艺的3nm芯片。
根据三星发布的消息可知，GAA工艺的3nm芯片，其性能提升超过21%，功耗降低45%，而台积电3nm工艺芯片的性能提升仅为11%，功耗降低在25%左右。
虽然台积电也在研发GAA工艺，但到2025年才会使用。
这意味着台积电不仅在3nm芯片的量产时间方面落后三星，在工艺方面也落后于三星，不过，三星芯片的良品率一直都不如台积电，不知在3nm芯片上是否会有起色。
尽管如此，一直在先进工艺方面领先的台积电，3nm很大可能会成为台积电的分水岭。
首先，台积电在3nm芯片的量产时间和工艺方面已经落后于三星，虽然台积电表示3纳米制程的发展符合预期，良率高，将在第四季度晚些时候量产。
但一切还需要看结果，毕竟，GAA工艺是目前最先进的工艺，三星率先将其用在3nm芯片上，台积电到2nm芯片时才会用。
其次，台积电先进工艺的客户也已经出现了变化，由于台积电要再次涨价6%，苹果、英伟达都明确表示反对。
另外，台积电先进芯片产能的首批客户往往是两家，5nm时代是苹果和华为、4nm时代是苹果和高通，结果到了3nm芯片上，就剩下了苹果一家。
虽然英特尔表示将会用台积电3nm芯片量产最新的芯片，但英特尔早些时候也曾表示，先进制程的芯片订单分给三星和台积电。
也就是说，三星有自家和高通两个3nm芯片客户，也将会有英特尔的3nm芯片订单。
最后，台积电凭借EUV光刻机的优先权，拥有了大量先进制程芯片的产能，但全新一代High NA EUV光刻机可能优先出货给三星。
ASML已经透露将会在2023年某个时间点交付全新一代High NA EUV光刻机，台积电透露将会在2024年获得该型号的光刻机。
从这两点来推断的话，High NA EUV光刻机可能会优先出货给三星，毕竟，英特尔暂时不需要，这将进一步让三星在先进工艺方面获得优势。
对此，你们怎么看。
