毋庸置疑，ASML是当代光刻机霸主，目前全球最先进的EUV光刻机只有ASML可以制造出来，将光刻机高端市场的全部份额揽入口袋，同时在DUV光刻机方面，凭借浸没式技术，让其所向披靡，没有任何对手。
值得注意的是，制造5nm等高阶芯片时，不仅需要EUV光刻机，同时也需要用到DUV光刻机，是由二者相互协同完成高阶芯片制造的。
所以，凭借高端光刻机独家制造的优势，ASML包揽了高端光刻机市场，赚的是盆满钵满的。虽然，尼康也可以制造出来浸没式DUV光刻机，但是所占据的市场份额少之又少，佳能的水平只在低端市场发展。
我们回顾ASML发展史可以了解到，其成为光刻机霸主得益于两次崛起。
第一次是浸没式，虽然所用光源依然是ARF，但采用浸没式，可以将光源波长缩短到134纳米，就是ASML率先推出的浸没式DUV光刻机，使其迅速占领市场。
第二次是EUV光刻机，也是同样的方式，率先推出EUV光刻机，到目前为止，是全球唯一一家可以制造EUV光刻机的。
也正因为这两次的崛起，使ASML成为光刻机市场霸主，至今已经有20年之久。不过，随着科技的发展和众多企业选择技术代替，ASML下一代光刻机霸主的地位可能保不住了。
据媒体报道，英特尔最近公布了一项多芯片封装、新3D堆叠技术。该技术可以实现不同类型、不同功能、不同芯片制造商的芯片混装使用，该技术可以避开EUV光刻机，实现提升中低端芯片的综合性能。
要知道，佳能与铠侠很早以前就已经在NIL技术上展开合作研究了，目前已经取得初步突破，还处于完善优化方面，在2025年可以实现商用。
要知道，NIL量产技术采用的是印刷和微电子制造技术，该技术使用电子束来实现对芯片的刻蚀，不仅解决了目前使用光学衍射带来的分辨率分体，同时还可以使芯片上的电子线路的宽度缩小，优化了芯片面积的使用空间。
而且，根据测试的数据显示，使用NIL制造的5nm芯片，功耗方面比EUV光刻机低很多，在10个百分点左右，最为重要的是，其使用成本也远远低于EUV光刻机。
相信大家还记得，先前我国为了实现光刻机领域的自主研发，曾有中科院牵头组成科研团队到ASML总部“取经”。我们的科研团队兴致勃勃的去了，万万没有想到迎来的是当头的“讽刺”，ASML给出的态度就是“即便把图纸给你们，你们也造不出来”。
让人没有想到的是，ASML近两年在我国不断增加布局，增加办事处、扩大团队规模、增加出货量等，聘用的中国员工也已经超过1500人。甚至在老美扩大限制范围的时候，选择硬刚老美。
ASML之所以一改常态示好我国，其目的就是为了抢占市场，让其设备深入我们国内企业的产业链之上，还有就是我国在光刻机技术上一直都没有停止研发，相反在加速推进中，目前已经有突破性进展。
我们并不会因为ASML的示好而停止光刻机国产化的进程，经过华为、中兴事件后，我们甚至，如果不想被卡脖子就要把核心技术掌握在自己手中。避免再次受到卡脖子之痛，就要励精图治，经过自己的努力实现技术国产化，做到“手中有粮，遇事不慌”。
不管是英特尔的3D堆叠技术还是佳能的NIL技术以及我国在光刻机领域的突破，目前为止都不足以撼动ASML光刻机霸主的地位，但EUV光刻机在光源和波长方面已经很难取得突破了，EUV光刻机后续发展有限，这才是最主要的。
当然，有一说一，国产光刻机突破90nm的事实，毋庸置疑，但我们也不能骄傲，半导体领域实现全面国产化的道路还有很长，相信通过我们的努力，实现光刻机领域的技术突破不是任何问题。
虽然我们的科技起步比较晚，但是我们不惧怕任何困难，更不怕任何打压和制裁。要知道，在我们伟大的国人面前，一切打压封锁都是纸老虎，三十年河东，三十年河西，”现在你嘲讽我，以后有让你哭的时候”。
我国科技的崛起，任何人的阻碍都是“螳臂当车”，自不量力！
