近日来，围绕着我国芯片制造的话题的讨论又十分激烈，引起讨论的主要原因在于，同样是在这个九月份，台积电高调宣布已经可以量产3nm芯片，并且就快要突破2nm技术。几乎在同一时间，中芯国际宣布55纳米CBD平台已经完成第一轮研发工作。
在消息传出之后，有人表示中芯国际刚突破的55nm工艺是属于一大喜讯且值得骄傲，而有的人则表示不理解，毕竟台积电目前的工艺都已经快达到2nm了，这其中的悬殊看起来十分巨大。
那么问题来了，有人说55nm已经是属于重大突破，而有的人说与2nm是天壤之别，这到底是怎么回事呢？
要回答这个问题之前，先要要明白，台积电的量产3nm芯片和快要突破的2nm芯片技术，与台积电所公布的CBD工艺达到55nm，是属于不同工艺，因此这两者之间的技术含量到底谁高谁低无法直接进行对比，就好比5nm的手机芯片和7nm的电脑芯片到底是哪一个的工艺技术更高一些，压根就无法直接通过表面所达到的数据而得出结果。
从台积电发布相关消息以后市场的反应可以看出，不管是两边3nm芯片还是快突破2nm技术，确实在国际上属于拔尖。
在接受采访时，台积电表示目前依然是在使用FinFET晶体管，在未来实现新一代2nm技术的时候或将会使用GAA晶体管技术，届时或将会更加依赖于美国厂商EDA技术。
业内人都知道，EDA电子设计自动化虽然自身在半导体市场规模不大，可对于半导体市场却有着举足轻重的作用，从芯片的设计到制造，再到芯片封装，都离不开EDA，据数据显示，EDA在2021年所影响的半导体市场超过了6000亿美元，截止到目前为止，台积电与全球16家EDA均有合作，一旦台积电能够在未来获得EDA的相助，确实如虎添翼。
可要知道的是，这是一种比较理想的设想， 而现实是一旦台积电对于美国厂商的技术太过于依赖就容易陷入被动，台积电突破2nm芯片在GAA工艺上需要美国EDA的支持，而且在技术上对美国形成依赖，在后续很难有别的厂商可以替代，依赖性会随着技术的不断深入而加大。
而EDA目前在全球的市场主要是掌握在Siemens EDA、Cadence、Synopsys这三大美国厂商手中，三家合计占有率超过78％。纵使是德科技和ANSYS等份额能够接近5％，也是属于美国公司。
那么，后续台积电在2nm技术上的实现，终究是路漫漫其修远兮，并且不确定性极大，而这说到底还是技术无法独立自主的原因。
而中芯国际所宣布的BCD平台，指的是“Bipolar-CMOS-DMOS”，Bipolar是用于高精度处理模拟信号的双极晶体管，CMOS通常使用于设计数字控制电路的互补金属氧化物半导体，也就是通常人们所说的5nm、7nm等芯片；而DMOS则是用于开发电源和高压开关器件的双扩散金属氧化物半导体。
简单来说，BCD平台技术指的是一种“单片集成技术”，也就是Bipolar、CMOS、DMOS同时运用在同一个芯片制作上。
在此之前，先进的BCD技术是90nm工艺，这一点我国已经能够实现量产，而今中芯国际宣布已经在CBD工艺上取得55nm的成绩，可以说是技术上的重大突破，而且比较肯定的是，中芯国际所取得55nm的水平，在目前已经处于国际领先地位。
举例来说，韩国的Key Foundry虽然与台积电一样也是属于头部圆晶代工厂，但在今年也才宣布能够达到CBD工艺188nm的量产，与中芯国际已然形成巨大距离。
不得不承认，芯片技术起步晚且技术无法独立自主也是我国目前最大难题，而EDA市场被国际巨头垄断、制造芯片设备稀缺、部分原材料生产能力有限，更是成为我国先进芯片发展道路上的“三道坎”。
纵使困难重重，但近年来我国在芯片设计、制造等领域不断深耕和得到提升，行业规模快速增长，新的技术不断迭出，为国产芯片解决“卡脖子”问题带来了希望，相信在不远的未来我国能够实现真正的芯片自由。
