众所周知，自从进入5nm之后，大家就都吐槽三星工艺不行，良率低、功耗大，发热大。并且还拿出各种事例来证明。
比如5nm的骁龙888，有火龙之称。然后4nm的高通骁龙8Gen1，一样是火龙，同时因为良率太低，被高通嫌弃，最后高通将订单转给台积电，生产骁龙8+了。
而台积电生产的骁龙8+，也是4nm工艺，但明显比骁龙8Gen1性能强，功耗低，发热小。
按照媒体的爆料，三星4nm工艺的良率只有35%左右。后来更是爆料称，在3nm时，三星虽然采用了更先进的GAAFET晶体管技术，但良率却更低了，只有10-20%，糟糕的令人发指。
所以客户们都不愿意按晶圆片数来计算订单了，只愿意按照成口芯片数来计算，因为良率低，成本太高，IC厂商们都抗不住。
那么三星的良率这么糟糕，台积电的又怎么样呢？近日是有媒体披露了一页台积电的PPT内容，上面显示，N3E 工艺进展非常好，平均达到了80%以上。
如果属实，那么就意味着台积电的良率是三星的4倍，同样条件下，三星生产一颗芯片，台积电就能生产4颗，这差距就太大了，不知道三星看了会不会羡慕嫉妒恨？
三星一直想在在代工领域超过台积电，特别是3nm时，更是憋了一口气，率先量产，更是采用了GAAFET晶体管技术，就是想先领先台积电一步，然后再慢慢把优势扩大，最终超过台积电。
但从现在这个良率来看，三星的路还很长，要努力的地方还有很多，毕竟良率差这么多，客户选择谁，这不是明摆着的么？
按照台积电的资料，3nm工艺，功耗降低 34％，性能提升18%，晶体管密度也可以提升至少18%，明年全面量产，就看到时候与三星相比，究竟谁更厉害了。
