三星 3nm 和台積電 3nm 存在不同。從性能看，三星 3nm（3GAE）工藝的電晶體密度為 1.7 億，大大低於台積電 3nm（N3）工藝的 2.9 億，更接近台積電 5nm 和英特爾 7nm

Name: 三星 3nm 和台積電 3nm 存在不同。從性能看，三星 3nm（3GAE）工藝的電晶體密度為 1.7 億，大大低於台積電 3nm（N3）工藝的 2.9 億，更接近台積電 5nm 和英特爾 7nm
Uploaded: 2023-07-25T05:22:55+08:00
Description: 三星 3nm 和台積電 3nm 存在不同。從性能看，三星 3nm（3GAE）工藝的電晶體密度為 1.7 億，大大低於台積電 3nm（N3）工藝的 2.9 億，更接近台積電 5nm 和英特爾 7nm

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