一. 價格上漲邏輯
據DigiTimes數據，五月以來，DDR4內存價格持續上行，現貨價格近半月已上漲約50%；漲價背後的深層邏輯包括：
（1）供需結構回暖
全球DRAM大廠自2024年起實施減產策略，疊加數據中心等下游需求爆發，市場供需結構發生轉變。
（2）技術迭代，供應收縮
DDR5、LPDDR5X、GDDR7等新一代DRAM產品優勢顯著，溢價空間更高，美光、三星等大廠紛紛停產轉產DDR5。
隨著產能向DDR5轉移，DDR4供應收縮，為後續價格修復埋下伏筆。
（3）囤貨需求
由於特朗普關稅政策不確定性，下遊客戶提前採購，引發OEM及渠道囤貨潮。
二. 存儲概覽
存儲器是用來存儲和讀取各種數據信息的記憶部件，按掉電後數據是否保存，分為易失性存儲、非易失性存儲倆大類。
2.1 易失性存儲（RAM）
（1）SRAM：靜態隨機存儲器，不需要周期性刷新，可快速提供近期數據，主要用於CPU緩存。
（2）DRAM ：動態隨機存儲器，需要周期性刷新，作為程序的臨時數據存儲；主要用於計算機、伺服器、手機。
2.2 非易失性存儲（ROM）
（1）NAND Flash：NAND快閃記憶體，存儲密度高，主要用於固態硬碟等大容量模塊。
（2）NOR Flash：NOR快閃記憶體，速度極快，主要用於代碼存儲代碼。
三. DRAM分類
DRAM可隨時讀寫且速度快，通常作為系統和程序的臨時數據存儲，產品形態包括DDR、LPDDR、GDDR：
（1）DDR
標準型內存，平衡容量與性能，服務通用計算場景；主要用於台式機、遊戲主機、伺服器、汽車電子。
（2）LPDDR（低功耗DDR）
低電壓、小尺寸、集成電源管理，主要用於手機、平板等移動設備。
（3）GDDR（圖形DDR）
專為圖形處理優化，高頻率高帶寬，主要用於GPU顯卡顯存；高帶寬內存（HBM）為GDDR的3D堆疊變種，用於AI算力晶元。
四. DDR市場格局
三星、美光科技、SK海力士合計佔據全球95%份額；國內方面：
（1）晶元廠商
兆易創新：國內存儲晶元設計龍頭，自研19nmDDR4，應用於消費電子和汽車電子。
瀾起科技：DDR內存介面晶元龍頭，產品覆蓋RCD、DB、PMIC等。
（2）模組廠商（將存儲與其他組件集成，形成最終產品）
江波龍：旗下Lexar為存儲模組頭部品牌，產品覆蓋存儲卡、移動存儲、固態硬碟、DDR內存等。
德明利：全品類布局，覆蓋固態硬碟、嵌入式存儲、移動存儲、DDR內存模組。
佰維存儲：存儲模組國內頭部，產品覆蓋嵌入式存儲、企業級SSD、存儲卡、內存（DDR/LPDDR）。
香農芯創：電子元器件產品本土分銷商，擁有SK海力士、MTK聯發科等公司代理權。
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