明明是科技、經濟、軍事實力最強的國家，卻總是仰仗技術優勢阻撓他人的發展。斷供、技術封鎖、搞破壞，老美可謂是將「科技霸凌」演繹得淋漓盡致！尤其當中企在半導體、通訊等領域對西方企業形成反超，老美頻繁揮舞制裁大棒，一次又一次地將黑手伸向了中企！
面對這種情況，央媒頻頻呼籲、鼓勵中企堅持自主研發、技術創新，CCTV甚至還專門製作了《創新驅動，向世界科技強國闊步前行》的欄目。因為核心技術是買不來、求不來的，尤其反映在晶元行業，這是美國賴以生存的根本，想要實現彎道超車，一定要把創新放在首位。
晶元製造領域，台積電和ASML共同研發出了浸潤式光刻機，憑藉著技術優勢，美資本大力扶持，ASML成了光刻機領域最頂尖的企業，台積電也成了代工領域的「龍頭企業」，在過去多年的時間裡，兩者相互依偎，過得那叫一個滋潤。
但是，隨著工藝越來越先進，ASML的EUV光刻機技術路線已基本走到盡頭，台積電、三星能量產4nm、3nm工藝晶元，究其原因是修改晶體管柵極形態。但如今從兩者可憐的3nm良品率不難發現，未來的晶元製造行業，「成本控制」已經成為各晶圓廠的最大挑戰，即便現在每進口一台EUV光刻機，就需要上億美元的投入。
不過，國產晶元製造行業曝光了一項新技術，不僅能打造出先進工藝的晶元，同時製造成本還能有效得到控制。
據報道，中芯國際憑藉著SAQP技術，即便不使用EUV光刻機也能打造出10nm工藝晶元的製造。而且有業內人士表示，國產DUV光刻機如果能實現量產，通過SAQP技術，即便沒有ASML的EUV光刻機，7nm、5nm製程工藝都能實現自主、可控。
所謂的SAQP，其實就是四重曝光技術。2022年末，美光推出的新款DRAM晶元採用的是美光自主研發的1-Beta製造技術，並沒有採用EUV光刻機，同樣也是經過多重曝光及應用先進材料後實現的，而採用1-beta技術的晶元，內存密度提升了35%，能效提升了15%，這是技術的一次飛躍。
而對於國內晶圓廠來說，DUV光刻機配合SAQP技術，結合上先進半導體材料，打造一條7nm晶元生產線，難度應該不會太大。尤其當老美試圖聯合日本、荷蘭打壓我國14nm生產線，阻撓DUV光刻機的自由出貨，國產90nm光刻機，配合SAQP技術，至少能解決成熟工藝晶元的自給自足。
雖然國產DUV光刻機還未實現量產，但消息稱上海微電子正在聯合國內光源巨頭共同解決國產光刻機光源「國產化」的問題，今年國產DUV光刻機有望實現量產。如今中芯國際通過SAQP技術在現有生產線小試牛刀，不少人認為此舉是優化多重曝光的能力，待國產DUV光刻機交付，國產7nm晶元生產線會在第一時間投入使用。
可以說ASML、台積電都沒料到，國產晶元可以通過這種技術緩解先進設備被卡脖子的局面，也有不少外媒表示：這才是科技創新！就像用簡單的食材烹飪營養、美味兼顧的美食一樣，用現有的設備與技術，打造出工藝更先進、性能更強、成本更低的晶元。
有人為國產光刻機精度落後而杞人憂天，但小編認為，國產晶元不會因此而停滯不前、敗下陣來，國產「芯」技術的曝光，讓我們對國產晶元的未來充滿了期待！
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