近日，作為先進的半導體技術廠商之一的三星電子今日宣布, 基於3納米（nm）全環繞柵極（Gate-All-AroundT,簡稱 GAA）製程工藝節點的晶元已經開始初步生產。
相較三星5納米（nm）而言，優化的3納米（nm）工藝，性能提高23%，功耗降低45%，晶元面積減少16%
三星電子首次實現GAA"多橋-通道場效應晶體管"（簡稱: MBCFETTM Multi-Bridge-Channel FET）應用打破了FinFET技術的性能限制，通過降低工作電壓水平來提高能耗比，同時還通過增加驅動電流增強晶元性能。三星首先將納米片晶體管應用於高性能、低功耗計算領域的半導體晶元，並計劃將其擴大至移動處理器領域。
三星電子Foundry業務部總經理崔時榮表示："一直以來，三星電子不斷將新一代工藝技術應用於生產製造中。例如：三星的第一個High-K Metal Gate (HKMG) 工藝、FinFET 以及 EUV等。三星希望通過率先採用3nm工藝的"多橋-通道場效應晶體管"（ MBCFETTM），將繼續保持半導體行業前沿地位。同時，三星將繼續在競爭性技術開發方面積極創新，並建立有助於加速實現技術成熟的流程"。
隨著工藝節點變得越來越小，而晶元性能需求越來越高，IC設計師們需要面對處理海量數據，以及驗證功能更多、擴展更緊密的複雜產品的挑戰。為了滿足這些需求，三星致力於提供更穩定的設計環境，以幫助減少設計、驗證和批准過程所需的時間，同時也提高了產品的可靠性。（消息來源：三星半導體）
