氣相二氧化硅與CMP化學機械拋光不能說的秘密（一）

CMP是由化學和機械作用協同進行的平坦化過程，優先除去表面上的凹凸部位，使之成為高低落差一致的表面，可以有效地獲得超光滑表面，其拋光工藝已在微納米量級，是一種成熟的加工工藝。

下圖為CMP工作示意圖：首先將待拋光材料固定在載樣盤上，並且安裝拋光墊。拋光碟和待拋光材料均以其自身的對稱軸旋轉。另外，將拋光液運送到拋光墊上面。通過拋光液和待拋光材料之間的化學反應、磨粒和待拋光材料之間的機械作用，使得材料去除並獲得表面全局平坦化。

CMP儀器主要通過拋光碟、拋光墊、拋光液等組成。其中，拋光墊與拋光液佔據絕對主要因素。

1.拋光墊

在CMP中，拋光墊是一種重要的損耗品，一般情況下，該墊是擁有適當機械性質和多孔吸水性質的材料。它是儲存、輸送拋光液的關鍵部件，在一定程度上對工件進行機械研磨，並起到運輸拋光殘渣的作用。