美國正考慮打擊中國存儲晶元製造商！或禁止出口NAND製造設備

即近日美國商務部給各大半導體設備巨頭髮放通知：禁止半導體設備商向中國提供14納米及更先進的半導體製造設備後，現在又瞄上了在中國大陸的存儲晶元製造。

8月1日路透社報道，據四位知情人士透露，美國正在考慮限制向中國大陸的存儲晶元製造商，以及國外存儲廠商在中國大陸的工廠提供美國半導體製造設備。

這將包括長江存儲技術（YMTC）在內的中國本土存儲晶元製造商。另外韓國的內存晶元巨頭三星電子和SK海力士在中國存儲晶元工廠也可能受到衝擊。三星在中國有兩家大型工廠，而SK海力士公司正在收購英特爾公司 NAND快閃記憶體晶元在中國的製造業務。

此次打擊行動如果獲得批准，將包括禁止向中國生產先進NAND晶元的工廠出口美國晶元製造設備。此舉旨在阻止中國半導體行業的發展，進而保護美國企業。

數據顯示，中國大陸的NAND晶元產量佔全球總量的比例已從2019年的14%以下增長至今年的23%以上，而同期美國的產量則從2.3%下降至1.6%。對於美國公司來說，他們幾乎所有的晶元生產都是在海外完成的。

據兩位消息人士透露，根據正在考慮的行動，美國官員將禁止向中國大陸出口用於製造128層以上NAND晶元的半導體設備。總部位於美國矽谷的泛林集團（Lam Research Corp.）和應用材料公司（Applied Materials）是此類設備的主要供應商。

YMTC 128L Xtacking 2.0 Peripheral CMOS Die Floorplan

目前還不清楚這些潛在的限制措施可能會對中國的其他企業產生什麼影響。英特爾的一份新聞稿稱，該公司保留了向SK海力士(SK Hynix)出售的中國工廠的運營管理合同，目前已在中國工廠生產144層的存儲晶元。