半導體存儲行業專題報告：從國內NOR Flash產業進階看利基市場機遇

（報告出品方/作者：財信證券，張看）

1 投資分析

根據 WSTS 數據，2021 年全球存儲市場規模 1582 億美元，佔半導體市場份額的比 重為 28.61%，為全球半導體行業重要的組成部分。與之對比的是，國內存儲產業相對弱 小，在全球份額不高，2020 年中國大陸存儲器的國產化率為 1%。 基於國內 6 家主要存儲器上市公司，近五年存儲板塊加速增長，總營收規模由 2017 年的 34.06 億元增長至 2021 年的 188.87 億元，CAGR 達 53.45%；總歸母凈利潤由 2017 年 4.12 億元增長至 2021 年的 42.17 億元，CAGR 達 78.87%。兆易創新、北京君正和聚 辰股份分別在 NOR Flash、車規 DRAM 和 EEPROM 等領域具有全球競爭力。我們選取 國內競爭力較強的 NOR Flash 產業，借鑒其崛起路徑並分析當前國內 Fabless 存儲企業的 布局以及利基存儲產業進階的可能性。

行業供需關係突發性變化導致參與企業資源再配置，而產品技術迭代弱化進入壁壘。 以 IDM 為主的存儲行業在面對產品進入生命周期末端時，其資本開支計劃日趨謹慎，在 面對外部衝擊時，資源條件的約束將迫使其放棄低端產線甚至完全放棄市場。產品標準 化和技術迭代弱化降低了進入壁壘，這將給新企業補位空間。 國內企業通過成本優勢和市場機遇切入市場，並逐步形成從低到高的替代。通過抓 住 SPI NOR 滲透率提升和消費電子機遇，兆易創新完成了容量與單價的快速上升並躋身 產業前三；普冉股份利用 SONOS 工藝的成本優勢以及中小容量需求的增長，其出貨量超 過 26 億顆。

新增需求提供空間，與國內企業優勢匹配，而國內晶圓代工產能自給率上升帶來產 能保障。物聯網與可穿戴設備的快速增長提供了行業新的空間，而此類下游對中小容量 的需求更匹配國內企業的競爭優勢，而國內晶圓代工產能自給率上升為 Fabless 企業提供 產能保障，但同時一定程度上帶來行業集中度的分散。 DDR3 市場變化與 2016-2017 年 NOR Flash 變化具有相似性，國內企業有望複製該 路徑實現產業進階。1）半導體行業景氣導致有限資源的再分配，頭部廠商三星退出釋放 行業超過 30%的份額；2）中小容量 DDR3 產品在消費電子領域依然具備旺盛需求，其不 需要汽車電子行業較高的行業認證壁壘，同時對成本具備價格敏感性，符合國內企業從 低端向高端滲透的增長邏輯；3）近年來國內晶圓代工企業技術上的日益成熟提供了產能 支撐，相較於台系 IDM 企業資本開支約束，國內 Fabless 公司在份額爭奪上佔有先機；4） 國內利用先進位程生產利基產品的模式將構成成本優勢。

SLC NAND 同樣面臨國產替代機遇，國內企業有望獲得份額。海外企業逐步轉向工 控與汽車領域，陸續退出 4Gb 以下中低容量 NAND 市場，SLC NAND 主要玩家逐步轉 向國內大陸與台企。如通信、汽車電子、物聯網、可穿戴設備和工控等新興應用場景的 拓展，下游市場對具備高可靠性、低功耗等特點的中小容量存儲晶元需求也持續上升， 也為國內企業帶來國產替代機遇。

基於 2016 年以後國內 NOR Flash 產業進階路徑，我們重點關注兩個階段和三個指標： 第一階段為龍頭退出份額的再分配，核心指標為出貨量的倍數擴張和產品在料號和容量 上的加速覆蓋；第二階段為利潤釋放，在某一時期由於供給衝擊或新的增量需求導致供 需逆轉，以容量和銷量為基礎，通過漲價攫取大量利潤。

2 NOR Flash 基本特徵與競爭格局

NOR Flash 市場規模較小，偏向於利基型行業。在非易失性存儲產業中，由於 NOR Flash 在容量成本上相較於 NAND 有較大劣勢，在 1Gb 以上幾乎不具備性價比，市場規 模相對較小。根據 SEMI 數據，2021 年 NOR Flash 和 EEPROM 市場規模約 40 億美元， 而 NAND Flash 全球市場規模約 636 億美元，DRAM 市場規模約為 870 億美元，NOR Flash 和 EEPROM 占存儲行業比重約為 2.6%。 商品標準化程度高，技術進步不明顯。存儲產業商品化程度較高，同時 NOR 1Gb 以 上受 NAND 替代影響，其容量上升路徑受阻，行業整體技術進步並不明顯。以產品多樣 性和製程迭代作為衡量標準，當前 NOR Flash 領先企業的旺宏在 2015 年即提出 48nm 開 發計劃，此後該計劃延續至 2021 年才變更為 45nm 並向客戶送樣，同時近年來幾乎不將 NOR Flash 納入研發投入。製程佔比上旺宏 55nm 工藝佔比由 2017 年約 5%提升至 2022Q1 的 62%，相較於邏輯節點其滲透率速度並不快，同樣兆易創新在 2013 年大規模銷售 65nm 節點產品後，將重點轉向容量提升，2019 年才在 55nm 上推出系列產品，中高容量產品 並不以成本與體積作為考量優勢，不影響廠商出貨量的快速上升。

參與企業以調整業務結構為主要手段，部分戰略性退出市場。隨著 2010 年三星退出 行業和 2014 年底 Cypress 與飛索合併後，NOR Flash 供應商主要包括 Cypress、旺宏、美 光、華邦電和兆易創新。其中 Cypress 被英飛凌合併後大幅縮減了在消費電子端的業務規 模，集中應用於汽車和通信領域；美光收購恆億後由於虧損，也再度縮減相關業務規模； 現有旺宏和華邦電均專註於調整 NOR 業務結構，增加高容量產品業務佔比，並將業務向 工控/汽車/通信等領域傾斜，而新的資本開支則主要投向 DRAM 與 NAND。

市場集中度隨併購與退出周期性升降，2020 年離散度加劇。受智能手機逐步取代功 能機的影響，2009-2016 年 NOR Flash 市場規模一路下降至低於 20 億美元，存儲大廠陸 續宣布退出或縮減業務，該階段 CR5 份額逐漸下降；2016 年後以中低容量為主的消費電 子與物聯網設備需求增加，新進入玩家較多，在 2020 年市場離散度增加。市佔率第一的 企業份額從 2010 年的 32%下降到 2020 年的 25%，CR5 份額由 2017 年的 92%下降至 2020 年的 78%。回顧整個過程，行業競爭格局變化的核心來自於行業前景預期變動和龍頭策 略調整有關，2020 年的離散度變化則由國內企業的快速崛起相關。

3 舊路徑：國內 NOR Flash 產業進階復盤

借成本與技術優勢，國內企業參與度提升。我們以上市/擬上市企業為研究集（兆易 創新/普冉股份/東芯股份/恆爍半導體/芯天下），復盤過去我國內地龍頭與新興企業成長路 徑。 3.1 借消費電子東風，兆易創新逐步成長為行業前三 從量增到價漲，兆易創新 NOR 的成長三階段。按照公司平均價格與銷量變化，公司 發展歷程可劃分為三個階段：

1）2014-2016 年，公司存儲晶元銷售量由 11.08 億顆增長至 16.86 億顆，複合增速為 23.36%，主要得益於份額提升以及手機存儲晶元多晶圓封裝需求提升，在此過程中受競 爭與定價策略影響，單顆 asp 變化幅度較小。

2）2017-2019 年，公司存儲晶元銷量由 17.36 億顆增長至 28.75 億顆，複合增速為 28.69%，在該階段行業龍頭策略性退出，公司最核心變化是在繼續保持銷量快速成長的 同時，加快了低容量向高容量的產品切換，2017 年公司產品集中於 128Mb 以下，後加速 推出 256Mb 及以上產品。到 2019 年得益於消費電子客戶的導入和可穿戴設備的爆發， 兆易創新出貨量同比增長 45.57%至 28.75 億顆，基本追平旺宏和華邦電的出貨數據。同 時從年報表述上，其產品推出速度明顯加快。

3）2019-2021 年兆易創新存儲晶元（以 NOR Flash 為主，在此僅考慮 NOR 產品）出 貨量從 28.75 億顆增長至 32.88 億顆，位居全球第二，僅次於華邦電 37.93 億顆，但複合 增速降至 6.94%。主要收入增長來源於價格端的變化，存儲晶元平均價格由 2019 年的 0.79 元提升至 2021 年 1.66 元，逐漸逼近華邦電的 NOR Flash 平均價格 1.92 元，落後於旺宏 的 2.84 元（由於旺宏與日本遊戲機行業強綁定，第一大客戶佔比超過 40%，具有一定特 殊性）。

在價格提升的主導下，公司毛利率穩步攀升。2020 年以前公司微控制器業務佔比相 對較小（15%-20%之間），毛利率較穩定（43%-47%之間），其營業利潤主要影響因素以 存儲晶元為主。我們考察公司存儲器板塊的銷售毛利率變化，在美光/賽普拉斯陸續宣布 退出低端產品後，2017 年受益於競爭格局改善與提價，公司毛利率從 25%以下上升一個 台階至 37.61%並基本維持在該水平，到 2021 年新一輪景氣中，公司通過產品調整與提 價將毛利率進一步提升至 39.71%。

完成技術積累後，進一步擴大在工控與汽車領域的份額。公司 GD25/55、GD5F 全 系列產品通過 AEC-Q100 車規級認證，實現了從 SPI NOR 到 SPI NAND 車規級產品的全 面布局。目前公司車規級 Flash 產品已在國內外多家知名汽車企業批量採用，可為車載應 用提供大容量、高可靠性、高性能的產品及解決方案。（報告來源：未來智庫）

3.2 新興企業皆集中成立，主承接中低容量產品

目前上市/擬上市企業普冉股份/芯天下/恆爍股份以及未上市的珠海博雅/豆萁科技等 均集中成立於 2014-2016 年，主要容量覆蓋 256Mb 以下產品，各企業複合增速超過行業 平均水平。

隨著主要的 NOR 參與方持續壓縮低容量業務規模，而包括物聯網設備、TWS 耳機、 AMOLED、TDDI 等產品的快速增長創造了旺盛的中小容量需求，這些應用產品容量范 圍在 4Mb~128Mb，有利於中小企業參與。根據普冉招股說明書，TWS 藍牙耳機預計能 為 NOR Flash 帶來 3 億美元的新增市場，AMOLED 屏幕市場預計能帶來 1 億美元的 NOR Flash 新增市場，TDDI 的增長預計能為 NOR Flash 帶來 5 億元人民幣的市場增長。 代表企業普冉股份利用其技術優勢與低價策略，2021 年銷量規模達到 27.59 億顆， 營收規模來到 10 億級別。從盈利能力與價值量的角度，營收規模較大的新興企業集中在 消費電子領域，其容量集中於 128Mb 及以下。

2016 年後國內產品容量/製程推進速度加快，並逐漸具備成本/技術上的獨特優勢。 從技術演進情況來看，NOR Flash 產品升級路線相對明確，圍繞更先進的製程/更高的容 量的路徑穩步推出新產品，實現研發-流片-量產-銷售。隨著美光和賽普拉斯在 2016 和 2017 年先後宣布退出 NOR 低容量，在非易失性存儲方向上將資源向更高性價比的 NAND 進行傾斜，國內產業開始進入快車道。新興企業陸續成立，而龍頭兆易創新在產品推出 速率上也明顯加快，2017 年 256Mb 產品量產，到 2020 年推出代表 SPI NOR Flash 行業 最高水準的容量高達 2Gb、高性能的 GD25/GD55 B/T/X 系列產品，產品競爭力基本以年 為單位快速逼近國際主流水平。

與中高容量為主三巨頭不同，由於中低容量市場競爭較為激烈，且下游多為物聯網 和消費電子設備，參與廠商往往通過製程升級以滿足下游對成本與體積的需求，大多數 企業製程節點來到 55nm 以下，與兆易/華邦/旺宏等基本一致甚至更低，在工藝升級上也 表現出來更強烈的意願。 除此以外，部分參與廠商逐步發展出特殊的技術路線。如普冉半導體獲授權採用的 SONOS 工藝能夠減少必要的掩模和處理步驟的數量，降低晶元的總體尺寸和面積； SONOS 不易受漏極導通和浮柵干擾，並且對應力誘導漏電流（SILC）不敏感，可以實現 更快的編程和更低的寫入/擦除電壓，並且將工藝節點提升至 40nm，實現在中低容量上 的競爭力。

3.3 小結：國內 NOR Flash 產業進階的典型路徑

NOR Flash 行業—自下而上實現國產替代的典型路徑。我們在此對國產替代定義更 加廣泛，即國內企業從國內市場替代到參與全球競爭的過程。從路徑上，我們可過程歸 類為：行業景氣上行-海外廠商資源約束-海外廠商出讓市場-國內企業進入-規模迅速擴大 -研發/設備再投資-技術逼近-參與主流競爭。 其潛在的約束和有利條件包括：

1） 行業供需關係發生突發性變化，主要參與企業在資源約束下戰略性放棄部分低 容量市場，甚至完全退出行業。 存儲行業的主要參與方以 IDM 為主，在面對行業進入生命周期末端時，其資本開支 計劃日趨謹慎，在面對外部衝擊時，資源條件的約束將迫使其放棄低端市場，這將給新 企業補位空間。在 2016-2017 年期間，美光將 NOR 產線轉向 NAND，Cypress 出售伯明 頓 12 寸晶圓廠，產能進一步縮減。

2） 國內企業通過成本優勢和市場機遇切入市場。 根據公司投資者關係活動記錄表，兆易創新上市初期中心節點約為 64Mb，之後藉助 SPI NOR Flash 在低功耗領域的應用，其出貨量和中心節點快速上升，迅速成為中國市場 SPI NOR Flash 市佔率第一；普冉股份依託 SONOS 工藝在 64Mb 的成本優勢，其出貨量 快速增長至 2021 年 27.59 億顆。

3） 新增需求提供空間，與國內企業優勢匹配 在手機上被 NAND 取代以後，NOR Flash 市場的主要增量為 OLED/物聯網/可穿戴設 備，其規格容量集中在 8-128Mb，為國內企業的營收增長提供空間。

4） 完成技術積累後，借價格與成本優勢衝擊高端產品 由於 NOR Flash 結構具有相似性，外圍控制電路決定晶元的控制演算法，存儲單元影 響晶元的單位面積和操作電壓等基礎參數。國內晶元設計企業在小容量 NOR 產品上完成 利潤與技術的積累後，通過優化電路驅動、結合面向製造和可靠性的晶元設計技術和生 產工藝提高良率等手段，實現在高容量產品上的價格與成本優勢，產品 asp 趨近於國外 企業。

4 新機遇：利基市場 DDR3 與 SLC NAND 帶來新空間

4.1 DDR3：當前階段有望重現 NOR Flash 增長路徑

DDR3 市場規模企穩，逐步轉入利基市場，預計 2021 年規模約為 75 億美金。隨著 DDR4 對 DDR3 在主流市場的替代接近尾聲，DDR3 佔整體 DRAM 規模逐步企穩，2021 年其市場預計占 DRAM 市場比重的 8%，規模約為 75.35 億美元，並預計到 2022 年增長 至 84 億美元。 中低容量利基型 DDR3 市場參與方中，2021 年三星與美光依然保留 DDR3 產能，台 系利基DRAM生產大廠南亞科DDR3佔比約為30%，三者合計佔據市場超過80%的份額， 其餘廠商營收規模大致相當（2-3 億美元）。從產品結構上，三星停止在 DDR3 上的投入， 僅具備 1/2/4 Gb 產品約 75 款產品，美光具有完整 1-8Gb 產品線但型號僅 51 款，南亞科 深耕 4 Gb 以下容量，產品線較為豐富，型號多達 135 款。

頭部廠商三星退出釋放行業機遇，行業迎份額洗牌關鍵節點。從時間節點上，2022-2023 年將成為 DDR3 市場份額再分配的重要年份，一方面供給 端的三星等 2022 年下半年後不再接收新訂單，IDM 台廠裝機量產時間節點大多在 2023 年後，而下游需求如通信、汽車、安防監控和工業需求相對穩定，這將為國內 Fabless 企 業擴大市佔率提供機遇。

DDR3 依然在部分細分市場上具備旺盛生命力。儘管 DDR4 在伺服器/PC 領域為當 前主流選擇且逐步迭代至 DDR5，但在運行周期長、需要與舊內存技術兼容的設備/通信/ 物聯網設備等領域依然大規模使用 DDR3，如 物聯網使用的開發板與擴展板未進行更新， 則會繼續採用兼容的 DDR3 產品。目前安防監控、網關路由器、WiFi 和機頂盒均可見使 用 1Gb-4Gb 不等的 DDR3 內存。 製程工藝相對集中，國內具有潛在成本優勢。利基 DDR3 市場主要生產廠商中，華 邦電重點拓展 25nm 製程技術並研發儲備下一代；晶豪科於 2021 年初步完成 25nm 開發 進入導入量產工作；南亞科 2017 年完成了 20nm 的 DDR3 認證與量產工作。而國內企業 兆易創新則藉助合肥長鑫生產 17nm DDR3，北京君正（ISSI）與東芯股份則均為 25nm， 整體 DDR3 製備工藝相對集中，而兆易創新具備工藝領先優勢。

當前 DDR3 變化與 2016-2017 年 NOR Flash 變化具有相似性，國內企業居於更優勢 地位。回顧 NOR Flash 發展歷程，隨著市場份額分別居第一位和第三位的賽普拉斯和美 光陸續宣布退出中小容量 NOR，旺宏與華邦電 2016-2017 年出貨量增速分別為 16.73%/40.34%和 15.86%/28.01%，成為此輪行業出清的最大贏家，2018 年市佔率迅速上 升至前兩位。而隨著中芯國際和華虹半導體技術的追趕，國內企業後來居上，增速高於 行業平均。我們認為當前 DDR3 機遇類似於 2016-2017 年的 NOR Flash，且國內企業在 份額爭奪中具備一定優勢，原因在於： 1）半導體行業景氣導致有限資源的再分配，頭部廠商三星退出釋放行業超過 30%的 份額； 2）中小容量 DDR3 產品在消費電子領域依然具備旺盛需求，其不需要汽車電子行業 較高的行業認證壁壘，同時對成本具備價格敏感性，符合國內企業從低端向高端滲透的 增長邏輯； 3）近年來國內晶圓代工企業技術上的日益成熟提供了產能支撐，相較於台系 IDM 企業資本開支約束，國內 Fabless 公司在份額爭奪上佔有先機； 4）國內利用先進位程生產利基產品的模式將構成成本優勢。

基於 2016 年以後國內 NOR Flash 產業進階路徑，我們重點關注兩個階段和三個指標： 第一階段為龍頭退出份額的在分配，核心指標為出貨量的倍數擴張和產品在料號和容量 上的加速覆蓋；第二階段為利潤釋放，在某一時期由於供給衝擊或新的增量需求導致供 需逆轉，以容量和銷量為基礎，通過漲價攫取大量利潤。

4.2 SLC NAND：國內企業積極進取

SLC NAND 在高可靠性市場具有利基地位。按照每個 NAND 快閃記憶體單元能夠儲存的位 數進行分類，NAND 快閃記憶體可分為 SLC/MLC/TLC 和 QLC。為追求更高密度和更低的成本，主流市場產品中 TLC 佔有較大的市場份額，並有部分開始採用容量更大的 QLC 顆粒。 與之對應的是，容量越大，其耐久性越低，可擦寫次數也越少，即使有日益發展的控制 器和固件技術的幫助，MLC/TLC 產品也不太適合用於工控等高可靠性市場，主要表現在 3 個方面：1）存儲單位越多，電路需要更精確複雜的演算法的分配電荷，導致讀寫速度變 慢；2）在 Copyback/Partial 編程上，MLC/TLC 對讀/寫/改或小塊操作表現更差；3）存儲 單位越多，可擦寫次數越少，不適用於頻繁更新或追求可靠性的場景。 因此，在小容量 NAND 領域，串口 SPI NAND 為過去使用 NOR Flash 需要可靠性要 求高/小封裝，又要求容量在 1GB以上提供了代碼及數據存儲的解決方案；而並口 PPI SLC NAND 產品則適用於高帶寬應用。

依託高可靠性市場與新興場景應用的拓展，SLC 市場穩健增長。根據 Gartner 數據 統計，2019 年 SLC NAND 全球市場規模約為 16.71 億美元，並預計到 2024 年增長至 23.24 億美元，複合增長率將達到 6%。隨著如通信、汽車電子、物聯網、可穿戴設備和工控等 新興應用場景的拓展，下游市場對具備高可靠性、低功耗等特點的中小容量存儲晶元需 求也持續上升。包括 5G 基站/CPE、PON、路由器和機頂盒等通信應用、安防監控、智 能家居和汽車電子等物聯網應用等對 SLC NAND 的市場需求形成支撐。

目前 SLC NAND 利基的市場主要參與方包括國外的三星、SK 海力士、鎂光和鎧俠 等，我國台灣企業主要包括旺宏、華邦和晶豪科等，國內則為兆易創新、北京君正、東 芯股份和芯天下等。由於海外企業逐步轉向工控與汽車領域，陸續退出 4Gb 以下中低容 量 NAND 市場，SLC NAND 主要玩家逐步轉向國內大陸與台企。從技術層面上，旺宏 19nm SLC NAND 順利出貨並在 2021Q4 位元佔比達到 59%，其餘廠商集中在 24nm 和 38nm，東芯股份 SLC NAND 量產產品以中芯國際 38nm 為主，力積電 28nm 部分產品已 量產，中芯國際 24nm 產品達到量產標準，基於中芯國際 19nm 工藝節點的產品已經進入 研發階段。（報告來源：未來智庫）

5 新布局：國內企業利基市場產品策略

5.1 兆易創新：從 NOR 到 MCU 到 DRAM

圍繞成本與國產替代優勢，兆易創新實現從 NOR 到 MCU 的雙輪驅動策略。上市以 來公司業績與股價可大致分為兩個階段：2017-2019 年由 NOR Flash 高速發展驅動的增長 和2020-2022年由NOR景氣和MCU快速成長帶來的市值增加。從路徑上可看到公司NOR 產品初期重銷量輕價格的方式實現了出貨量/產品容量/產品料號的快速完善，並藉助行業 的兩次景氣完成利潤的增長。MCU 產品在初期的研發投入和 pin-to-pin 替代 STM32 的基 礎上進一步豐富在主頻、內存、外設管腳的多樣性，形成 32 個系列超過 400 餘款產品， 最終厚積而薄發，其出貨量由 2019 年的 1.09 億顆快速增長至 2021 年的 3.94 億顆，近兩 年複合增速為 90.12%。

DRAM 從代銷轉向自研產品，以製程優勢切入利基 DRAM 市場。公司於 2021 年 12月公告2022年度日常關聯交易，預計2022年代銷長鑫存儲DRAM產品的1.7億美金， 與去年同期交易額相當；預計自有品牌採購代工 1.35 億美元，而去年 1-11 月共計採購金 額為 0.3 億美元。公司信息顯示 2021 年已量產首款 19nm 4Gb DDR4 產品，廣泛應用在 消費電子（包括機頂盒、電視、智能家居等）、工業安防和網路通信等領域。目前公司 17nm DDR3 產品按計劃推進，並預計 2022 年開始貢獻營收。 根據官網信息的產品料號數據，公司主要進入大批量供應（MP）階段的為 DDR4 4Gb 產品，速率涵蓋 2400Mbps-3200Mbps；DDR3 料號數相對較少且均處於樣品階段，主要 集中在 4Gb 和 2Gb 上，共 8 款商規和 12 款工規產品，速率涵蓋 1866Mbps-2133Mbps， 電壓參數 1.35/1.5V。 目前隨著三星的退出，主流 DDR3 製程為 25nm，南亞科技技術較為領先，而兆易創 新藉助合肥長鑫生產 17nm DDR3 將在工藝上具備優勢。

5.2 北京君正：借 ISSI 切入車規市場

公司通過收購 ISSI 迅速獲得完整的車規級存儲產品線，避免進入該細分領域所需要 的長時間開發與認證過程，並同時帶來了模擬與互聯晶元產品。根據 Omdia 統計，2021 年度 ISSI SRAM、DRAM、Nor Flash 產品收入在全球市場中分別位居第二位、第七位、 第六位，處於國際市場前列。根據公司 2021 年年報，北京矽成（ISSI）實現營收 40.83 億元，占公司營收比重的 77.42%，實現凈利潤 6.08 億元，占利潤的比重的 65.66%。分 產品來看，2019 年 1-5 月 DRAM 收入佔比 62%，其次 SRAM 為 19%；分下游應用領域 來看，汽車與工業佔據主要份額，分別為 39%和 31%；消費電子佔比較小，僅為 16%。

根據官網公開的產品選型手冊，ISSI 涵蓋 RLDRAM、DRAM、LPDRAM、NOR Flash、 MCP 和 SRAM 共計 6 大類。其中最主要的收入來源 DRAM 包括 SDR、DDR、DDR2、 DDR3 和 DDR4，其中 DDR4 產品以 4Gb 以上大容量為主，車規（IS46）與非車規（IS43） 各 5 小類；DDR3 為公司主力產品，容量覆蓋 1-16Gb，電壓以 1.35V 和 1.5V 分類合計車 規（IS46）與非車規（IS43）各 29 小類，另外還包括 1.8V 的 DDR2、2.5V DDR SDRAM 和 3.3VSDRAM。

製程遷移提升競爭力，加速產品拓展。公司目前主要產品 DDR3 製程為 25nm，與當 前市場主流製程相當，並隨著市場需求不斷更新工藝。公司主要依託自身在非消費電子 領域的優勢逐漸拓寬產品線。根據年報，公司 8Gb LPDDR4 產品預計將於 2022 年開始送 樣。公司不斷加大 Flash 產品線的市場推廣，在汽車、工業、醫療和高端消費等市場的強 勁需求下，Flash 業務同比實現了快速增長，車規 Flash 產品的市場銷售在快速成長中。 公司完成了兩款面向大眾消費類市場的 Nor Flash 晶元產品的投片並展開了市場推廣，預 計可於 2022 年實現量產銷售。

5.3 東芯股份：SLC NAND 為主，兼顧 DRAM 與 NOR Flash

公司早期聚焦於平面型 SLC NAND Flash 的設計與研發，目前基於 SMIC 24nm 工藝 平台，實現 1Gb 到 32Gb 系列產品設計研發的全覆蓋，並在 2021 年基於 19nm 完成 SLC NAND 的首顆流片。公司之後通過收購韓國 Fidelix 加強在 DRAM、NOR 和 MCP 產品上 的技術儲備。目前公司所售產品主要為利基型 SLC NAND，NOR 系列產品主要面向消費 級市場，DRAM 產品主要為針對利基型市場的中小容量 DRAM。根據公司 2021 年年報， 公司 NAND 系列產品實現收入 6.60 億元，占業務收入比重的 58.16%，NOR/DRAM/MCP 收入佔比分別為 16.53%/6.97%/15.72%。 根據公司官網的產品數據，SPI/PPI NAND 產品系列豐富，SPI NAND 包括 512Mb~4Gb 容量，可提供 3.3V/1.8V 兩種電壓，具備 WSON、BGA 多種封裝形式；PPI NAND 則包括 1Gb~8Gb 容量，3.3V/1.8V 兩種電壓，多種封裝方式的產品，以滿足不同 應用場景。公司產品在網路通信，智能音箱，安防監控，機頂盒等領域中廣泛應用。

加速製程追趕提升成本優勢。根據招股說明書，東芯股份 SLC NAND 已量產 38nm/28nm，中芯國際 24nm 產品達到量產標準，基於中芯國際 19nm 工藝節點的產品已 經進入研發階段。公司設計研發並量產的 24nm NAND、48nm NOR 均為大陸目前領先的 工藝製程。公司還加大了在車規級產品的開發，38nm 工藝上可以為客戶提供車規級的PPI NAND 以及 SPI NAND 樣品，容量包括 1G 到 8G 車規的 NAND Flash。目前正在研 發的是 48nm 中高容量的 NOR Flash 車規級產品。

5.4 總結：利基型市場大有可為

我們將三家公司從營收規模、主營業務構成、銷售量規模、量產製程、代工廠和產 品組合的多角度進行匯總，以更直觀的反應三者的業務布局差異。

業務布局上，兆易創新為全球領先的 NOR Flash 供應商，並逐步拓展至 DRAM 業務， 包括 DDR3 與 DDR4；北京君正則通過收購 ISSI 獲得了較為完善 DRAM 生產線，其涵蓋 車規與非車規級別；東芯股份以 SLC NAND 產品為主，並陸續補齊了 NOR 和 DRAM； 製程與代工廠分布上，新進入廠商對新技術接受度更高，包括君正與東芯的 NOR 採用的 製程分別為 50/48nm，而兆易創新生產 DDR3 也採取了 17nm 工藝，國內企業工藝製程水 平與行業主流相差不大。中芯國際為國內存儲行業重要的代工廠之一，除了北京君正供 應商分布相對分散以外，其餘兩家均集中於 2-3 家晶圓代工廠，各公司主要產能依託於 本土晶圓廠，整體對台灣地區代工廠依賴度在降低。

（本文僅供參考，不代表我們的任何投資建議。如需使用相關信息，請參閱報告原文。）

精選報告來源：【未來智庫】。未來智庫 - 官方網站