眾所周知，目前主要的晶元製造方案，均採用的是光刻技術，而光刻技術最重要的就是光刻機。
光刻機領域，ASML一家獨佔了80%以上的市場份額，特別是最高端的EUV光刻機，全球僅ASML一家能夠製造。
而EUV又用於7nm以下的晶元製造，所以說ASML卡住了全球所有先進晶元製造企業的脖子。
所以一直以來，全球眾多的企業，都在想方設法，繞過ASML的封鎖，特別是繞過EUV光刻機技術，掌握另外的晶元製造技術，那麼全球的晶元設備格局都可能被改寫。
事實上，之前也有好幾套技術方案，比如日本研究的NIL納米壓印技術，佳能就有推出相關的設備，據說也能用於5nm晶元的製造。
還有美國之前搞了EBL電子束技術，據稱也能夠用於5nm及以下晶元的製造。
還有歐洲搞什麼DSA自生長技術，還有俄羅斯提出什麼X射線方案等，但其真正的可以拿出來公布的進度並不多。除了佳能的NIL方案，據說已經用於實際生產之外，其它的只是傳聞。
但是近日，傳聞變成了現實，英國南安普敦大學宣布，成功開設了首個解析度達 5 納米以下的尖端電子束光刻 (EBL) 中心。
這種產品，據稱可以製造下一代半導體晶元，並且是不需要EUV光刻機的晶元製造技術，據稱這也是全球第二個，歐洲首個此類電子束光刻中心。
不過，目前這一代產品，也並不是沒有缺點，那就是目前它還只能用於200mm的晶圓，也就是8寸的，要支持300mm也就是12寸的，據稱要等到下一代技術才行。
但不可否認的是，一旦這種電子束光刻機大突破，解決了產能、解析度等等問題之後，ASML的麻煩就來了，到時候ASML就無法一家獨大了，那當前的這種局面，肯定會產生巨大的洗牌。
當然，對於我們而言，表現上來看似乎也是利好，畢竟這麼多的產品推出，我們有了更多的選擇，但關鍵是，這些產品和技術都不是中國的，所以就算對方有，也未必會賣給我們，所以我們還是努力加油吧，只有自己有，才能避免被卡脖子。
