前言：
眼下全速PCIe 5.0 SSD尚未問世，而PCIe 4.0 SSD的輝煌盛世已經來臨。致態率先推出了應用晶棧®（Xtacking）3.0的TiPlus7100，我們得以在主流級SSD上提前享受下代PCIe 5.0旗艦產品將要採用的全新快閃記憶體技術！
TiPlus7100包裝盒右上角醒目的SATURATION是致態新提出的飽和概念（Saturate The Bus），它源於SATURATION FUNCTION飽和函數概念：到達臨界值後，縱軸數值不再變化，趨於飽和。
當前四通道DRAMLess SSD的讀取速度通常在5000MB/s左右，而TiPlus7100則能達到7000MB/s以上，令PCIe 4.0 x4介面的帶寬優勢得到完整體現。
致態TiPlus7100全容量型號均採用單面PCB設計，可以廣泛地兼容台式機、輕薄筆記本和PS5遊戲主機等硬體。
晶棧3.0架構：
SATURATION飽和理念仰賴的是長江存儲晶棧®（Xtacking）3.0技術：致態TiPlus7100所用長江存儲原廠快閃記憶體的IO介面提速50%，達到2400MT/s，主控只需四通道即可跑滿PCIe 4.0 x4介面。
晶棧®Xtacking® 技術在兩片晶圓上分別完成CMOS外圍電路和NAND存儲陣列部分，然後通過金屬互聯通道VIAs進行鍵合。並行和模塊設計製造提升研發效率並縮短了快閃記憶體生產周期。
TiPlus7100使用的快閃記憶體在CMOS外圍電路部分使用了晶棧3.0架構：2400MT/s的IO傳輸速率相比上代產品（1600MT/s）提速50%。I/O介面提速幫助致態TiPlus7100用更少的快閃記憶體通道，實現更快的SSD讀寫速度。
除了I/O介面提速之外，長江存儲還提升了快閃記憶體的寫入性能。四通道設計的致態TiPlus7100 1TB緩外直寫速度達到2000MB/s，和八通道設計的三星980PRO、西數SN850處於同一水平。致態TiPlus7100的問世，徹底改變了遊戲規則：高性價比的主流級四通道SSD現在能夠對八通道的旗艦級產品直接發起挑戰。
SATURATION與快閃記憶體IO速度：
長江存儲Xtacking晶棧技術從1.0發展到3.0，快閃記憶體的IO速度自800MT/s、1600MT/s，提升到了2400MT/s。快閃記憶體IO速度和快閃記憶體通道數量一起決定了SSD的順序讀寫速度，雖然SATURATION是最近新提出的概念，但實際上長江存儲致態一直以每代快閃記憶體都能幫助SSD跑滿其外部介面帶寬為目標。
上表展示了各種快閃記憶體配置下SSD內部帶寬占外部介面帶寬的百分比，超過100%意味著介面帶寬飽和。SATURATION意味著用滿介面帶寬，不留性能遺憾。
測試平台和軟體信息：
測試平台：
CPU：AMD Ryzen 9 5900X
主板：Gigabyte X570 AORUS ELITE WIFI
內存：DDR4-3000
硬碟：Kingston KC2000 250GB（OS）
致態TiPlus7100 1TB
系統：Windows 11 22H2
驅動：stornvme
CrystalDiskInfo信息識別：
CDI能夠識別NVMe固態硬碟的傳輸模式和標準SMART健康信息。致態TiPlus7100 1TB繼續採用1024GB滿容量設計，使用PCIe 4.0 x4介面、NVMe 1.4協議。
HWiNFO64硬體信息識別：TiPlus7100支持512位元組MPS，在AMD銳龍平台上可以實現更高的PCIe傳輸效率，也是實現7400MB/s讀速的關鍵。在最高支持256位元組MPS的英特爾平台上，順序讀取速度將被限制到7200MB/s左右。
基準測試：
基準測試1：理論帶寬測試
通過CrystalDiskMark可以測試SSD的理論讀寫性能。致態TiPlus7100 1TB的實測成績為順序讀取7450.47MB/s，順序寫入6222.62MB/s；隨機讀取987K IOPS，隨機寫入895K IOPS。
儘管致態TiPlus7100使用的是DRAMLess（無DRAM緩存）設計，但理論讀寫性能已經和DRAMBased（帶DRAM緩存）的PCIe 4.0旗艦級產品全面看齊。
基準測試2：PCMark 10完整系統盤基準測試
PCMark 10完整系統盤基準針對當代最新固態硬碟的廣泛測試，涵蓋了系統開機啟動、Adobe設計套件應用、Office辦公套件應用、圖片/ISO文件拷貝複製、多個遊戲載入過程等測試內容。測試需要至少80GB的硬碟空間，單次測試產生的寫入量達到204GB，複雜度超過了PCMark 8存儲測試。
致態TiPlus7100 1TB在PCMark 10完整系統盤基準測試中獲得3511分，存儲帶寬552.58MB/s，平均存取時間47微秒。在致態TiPlus7100面前，現有的PCIe 4.0 DRAMLess產品將不堪一擊，即便是帶有DRAM緩存（DRAM Based）的旗艦級型號也未必能佔到便宜。
基準測試3：3DMark存儲性能測試
3DMark存儲基準測試涵蓋了戰地5、使命召喚15：黑色行動4、守望先鋒三款遊戲的啟動載入過程、在運行守望先鋒的同時通過OBS記錄1080P遊戲視頻、從EPIC平台安裝天外世界、天外世界遊戲進度保存以及將Steam遊戲反恐精英：全球攻勢從移動硬碟拷貝到系統盤的過程，涵蓋了PC遊戲玩家所能遇到的方方面面。
致態TiPlus7100 1TB在3DMark存儲測試中取得3702分，存儲帶寬627.67MB/s，平均存取時間48微秒。憑藉驕人的成績，致態TiPlus7100 1TB輕鬆躋身旗艦級性能行列。
進階測試：
進階測試項目1：SLC緩存測試
通過無文件系統條件下的IOMeter寫入測試可以得知，在空盤條件下致態TiPlus7100 1TB可以提供大約160GB的SLC寫入緩存空間。在SLC緩存外的TLC直寫速度約為2000MB/s。
在使用IOMeter向盤內填入477GB數據後，致態TiPlus7100 1TB的可用SLC寫入緩存空間在70到160GB之間（非固定）。
半盤狀態下理論讀寫性能基本不變：
半盤狀態下3DMark存儲測試成績3707分，相比空盤未下滑：
進階測試項目2：溫度壓力測試
溫度壓力測試在被動散熱條件下進行，目的是檢驗NVMe SSD在高工作負載下如何進行溫度管理。當主控或快閃記憶體過熱時，SSD主控將限制功率並將溫度保持在安全範圍之內。測試使用IOMeter進行，利用HWiNFO64每秒記錄速度和溫度信息。
23度室溫被動散熱條件下，溫度壓力測試開始113秒後溫度達到73度，功率限制介入，讀取速度下降到5000MB/s左右。限速25秒後溫度下降至70度，限速解除。總體來看致態TiPlus7100的功耗控制還是非常不錯的，對性能的影響較小。
進階測試項目3：筆記本平台測試
將致態TiPlus7100 1TB安裝在機械革命無界14（酷睿i5-12500H）上作為系統盤使用。筆記本啟用安靜模式，PCMark 10現代辦公續航測試成績為5小時44分，ASPM及APST節能特性工作正常，沒有掉盤或卡頓問題。
總結：
單面PCB設計的TiPlus7100具備靈活的空間兼容性，能夠滿足筆記本、台式機以及PS5用戶的PCIe 4.0擴容需要。憑藉晶棧®（Xtacking）3.0技術創新帶來的快閃記憶體優勢，致態TiPlus7100的性能表現在同類DRAMLess產品中一枝獨秀，展現出了媲美DRAMBased旗艦級產品的實力，成為遊戲規則的改變者。
目前致態TiPlus7100已在京東和天貓開啟預售，感興趣的朋友不妨關注一下。
