毋庸置疑，ASML是當代光刻機霸主，目前全球最先進的EUV光刻機只有ASML可以製造出來，將光刻機高端市場的全部份額攬入口袋，同時在DUV光刻機方面，憑藉浸沒式技術，讓其所向披靡，沒有任何對手。
值得注意的是，製造5nm等高階晶元時，不僅需要EUV光刻機，同時也需要用到DUV光刻機，是由二者相互協同完成高階晶元製造的。
所以，憑藉高端光刻機獨家製造的優勢，ASML包攬了高端光刻機市場，賺的是盆滿缽滿的。雖然，尼康也可以製造出來浸沒式DUV光刻機，但是所佔據的市場份額少之又少，佳能的水平只在低端市場發展。
我們回顧ASML發展史可以了解到，其成為光刻機霸主得益於兩次崛起。
第一次是浸沒式，雖然所用光源依然是ARF，但採用浸沒式，可以將光源波長縮短到134納米，就是ASML率先推出的浸沒式DUV光刻機，使其迅速佔領市場。
第二次是EUV光刻機，也是同樣的方式，率先推出EUV光刻機，到目前為止，是全球唯一一家可以製造EUV光刻機的。
也正因為這兩次的崛起，使ASML成為光刻機市場霸主，至今已經有20年之久。不過，隨著科技的發展和眾多企業選擇技術代替，ASML下一代光刻機霸主的地位可能保不住了。
據媒體報道，英特爾最近公布了一項多晶元封裝、新3D堆疊技術。該技術可以實現不同類型、不同功能、不同晶元製造商的晶元混裝使用，該技術可以避開EUV光刻機，實現提升中低端晶元的綜合性能。
要知道，佳能與鎧俠很早以前就已經在NIL技術上展開合作研究了，目前已經取得初步突破，還處於完善優化方面，在2025年可以實現商用。
要知道，NIL量產技術採用的是印刷和微電子製造技術，該技術使用電子束來實現對晶元的刻蝕，不僅解決了目前使用光學衍射帶來的解析度分體，同時還可以使晶元上的電子線路的寬度縮小，優化了晶元面積的使用空間。
而且，根據測試的數據顯示，使用NIL製造的5nm晶元，功耗方面比EUV光刻機低很多，在10個百分點左右，最為重要的是，其使用成本也遠遠低於EUV光刻機。
相信大家還記得，先前我國為了實現光刻機領域的自主研發，曾有中科院牽頭組成科研團隊到ASML總部「取經」。我們的科研團隊興緻勃勃的去了，萬萬沒有想到迎來的是當頭的「諷刺」，ASML給出的態度就是「即便把圖紙給你們，你們也造不出來」。
讓人沒有想到的是，ASML近兩年在我國不斷增加布局，增加辦事處、擴大團隊規模、增加出貨量等，聘用的中國員工也已經超過1500人。甚至在老美擴大限制範圍的時候，選擇硬剛老美。
ASML之所以一改常態示好我國，其目的就是為了搶佔市場，讓其設備深入我們國內企業的產業鏈之上，還有就是我國在光刻機技術上一直都沒有停止研發，相反在加速推進中，目前已經有突破性進展。
我們並不會因為ASML的示好而停止光刻機國產化的進程，經過華為、中興事件後，我們甚至，如果不想被卡脖子就要把核心技術掌握在自己手中。避免再次受到卡脖子之痛，就要勵精圖治，經過自己的努力實現技術國產化，做到「手中有糧，遇事不慌」。
不管是英特爾的3D堆疊技術還是佳能的NIL技術以及我國在光刻機領域的突破，目前為止都不足以撼動ASML光刻機霸主的地位，但EUV光刻機在光源和波長方面已經很難取得突破了，EUV光刻機後續發展有限，這才是最主要的。
當然，有一說一，國產光刻機突破90nm的事實，毋庸置疑，但我們也不能驕傲，半導體領域實現全面國產化的道路還有很長，相信通過我們的努力，實現光刻機領域的技術突破不是任何問題。
雖然我們的科技起步比較晚，但是我們不懼怕任何困難，更不怕任何打壓和制裁。要知道，在我們偉大的國人面前，一切打壓封鎖都是紙老虎，三十年河東，三十年河西，」現在你嘲諷我，以後有讓你哭的時候」。
我國科技的崛起，任何人的阻礙都是「螳臂當車」，自不量力！
