近日來，圍繞著我國晶元製造的話題的討論又十分激烈，引起討論的主要原因在於，同樣是在這個九月份，台積電高調宣布已經可以量產3nm晶元，並且就快要突破2nm技術。幾乎在同一時間，中芯國際宣布55納米CBD平台已經完成第一輪研發工作。
在消息傳出之後，有人表示中芯國際剛突破的55nm工藝是屬於一大喜訊且值得驕傲，而有的人則表示不理解，畢竟台積電目前的工藝都已經快達到2nm了，這其中的懸殊看起來十分巨大。
那麼問題來了，有人說55nm已經是屬於重大突破，而有的人說與2nm是天壤之別，這到底是怎麼回事呢？
要回答這個問題之前，先要要明白，台積電的量產3nm晶元和快要突破的2nm晶元技術，與台積電所公布的CBD工藝達到55nm，是屬於不同工藝，因此這兩者之間的技術含量到底誰高誰低無法直接進行對比，就好比5nm的手機晶元和7nm的電腦晶元到底是哪一個的工藝技術更高一些，壓根就無法直接通過表面所達到的數據而得出結果。
從台積電發布相關消息以後市場的反應可以看出，不管是兩邊3nm晶元還是快突破2nm技術，確實在國際上屬於拔尖。
在接受採訪時，台積電錶示目前依然是在使用FinFET晶體管，在未來實現新一代2nm技術的時候或將會使用GAA晶體管技術，屆時或將會更加依賴於美國廠商EDA技術。
業內人都知道，EDA電子設計自動化雖然自身在半導體市場規模不大，可對於半導體市場卻有著舉足輕重的作用，從晶元的設計到製造，再到晶元封裝，都離不開EDA，據數據顯示，EDA在2021年所影響的半導體市場超過了6000億美元，截止到目前為止，台積電與全球16家EDA均有合作，一旦台積電能夠在未來獲得EDA的相助，確實如虎添翼。
可要知道的是，這是一種比較理想的設想， 而現實是一旦台積電對於美國廠商的技術太過於依賴就容易陷入被動，台積電突破2nm晶元在GAA工藝上需要美國EDA的支持，而且在技術上對美國形成依賴，在後續很難有別的廠商可以替代，依賴性會隨著技術的不斷深入而加大。
而EDA目前在全球的市場主要是掌握在Siemens EDA、Cadence、Synopsys這三大美國廠商手中，三家合計佔有率超過78％。縱使是德科技和ANSYS等份額能夠接近5％，也是屬於美國公司。
那麼，後續台積電在2nm技術上的實現，終究是路漫漫其修遠兮，並且不確定性極大，而這說到底還是技術無法獨立自主的原因。
而中芯國際所宣布的BCD平台，指的是「Bipolar-CMOS-DMOS」，Bipolar是用於高精度處理模擬信號的雙極晶體管，CMOS通常使用於設計數字控制電路的互補金屬氧化物半導體，也就是通常人們所說的5nm、7nm等晶元；而DMOS則是用於開發電源和高壓開關器件的雙擴散金屬氧化物半導體。
簡單來說，BCD平台技術指的是一種「單片集成技術」，也就是Bipolar、CMOS、DMOS同時運用在同一個晶元製作上。
在此之前，先進的BCD技術是90nm工藝，這一點我國已經能夠實現量產，而今中芯國際宣布已經在CBD工藝上取得55nm的成績，可以說是技術上的重大突破，而且比較肯定的是，中芯國際所取得55nm的水平，在目前已經處於國際領先地位。
舉例來說，韓國的Key Foundry雖然與台積電一樣也是屬於頭部圓晶代工廠，但在今年也才宣布能夠達到CBD工藝188nm的量產，與中芯國際已然形成巨大距離。
不得不承認，晶元技術起步晚且技術無法獨立自主也是我國目前最大難題，而EDA市場被國際巨頭壟斷、製造晶元設備稀缺、部分原材料生產能力有限，更是成為我國先進晶元發展道路上的「三道坎」。
縱使困難重重，但近年來我國在晶元設計、製造等領域不斷深耕和得到提升，行業規模快速增長，新的技術不斷迭出，為國產晶元解決「卡脖子」問題帶來了希望，相信在不遠的未來我國能夠實現真正的晶元自由。
