爆大极招！台积电1nm研发狂引领，英特尔彻底急傻。电晶体猛升级，Forksheet与CFET。闸极构件变3D，2D材料成主流。半金属铋电阻极低，钛酸锶STO使电容可靠。疯抢新EUV，布局N1节点。