以这个能够控制开关速度的驱动电路为例
如图，D1是驱动电阻Rg2上并联一个快恢复二极管，使关断时间减小同时减小关断损耗，Rg1可以限制关断电流，R1为mos管栅源极的下拉电阻，给mos管栅极积累的电荷提供泄放回路。（ 根据MOSFET栅极高输入阻抗的特性，一点点静电或者干扰都可能导致MOS管误导通，所以R1也起降低输入阻抗作用，一般取值在10k~几十k ）
Lp为驱动走线的杂散寄生电感，包括驱动IC引脚、MOS引脚、PCB走线的感抗，精确的数值很难确定，通常取几十nH。
驱动电阻Rg的计算：
驱动走线的寄生电感和MOS管的结电容会组成一个LC振荡电路，如果驱动芯片的输出端直接到栅极的话，在PWM波的上升下降沿会产生很大的震荡，导致MOS管急剧发热甚至爆炸，一般的解决方法是在栅极串联电阻，降低LC振荡电路的Q值，使震荡迅速衰减掉。
驱动电阻下限值：
当mos开通瞬间，Vcc通过驱动电阻给Ciss=Cgs+Cgd充电，如上图所示(忽略下拉电阻R1的影响)。根据LC震荡电路模型，可以列出回路在复频域内对应的方程。
求解出I g ，并化为典型二阶系统的形式
再根据LC振荡电路求解二阶系统阻尼系比
那么根据LC振荡电路的特性，为了保证驱动电流ig不发生震荡，该系统要处于过阻尼的状态；即阻尼比必须大于1，则方程式解得Rg=Rg1+Rg2的下限范围
驱动关断电阻上限值：
MOS 管关断时，Vds 产生的高 dv/dt，会使寄生电容 Cgd 放电形成较大电流（Ic=Cdv/dt）。该电流 Igd 流经驱动电阻 Rg ，在 GS 间产生电压 Vgoff=IgdxRg。为防止误导通，Vgoff 不能超过 MOS 导通门槛电压 Vth，
那么列出不等式
则解得驱动电阻Rgoff=Rg1的取值上限
实际设计中，先按避免驱动电流震荡算出 Rg1+Rg2 下限，再以防关断误导通确定 Rg1 上限。最后结合损耗、电磁干扰（EMI）、桥式拓扑死区控制等因素，通过实验调试优化，确定理想的驱动电阻参数 。
