台积电突破1纳米，芯片“根”被控制？大陆把控全球75％原料

众所周知，在目前世界芯片生产领域内，来自台湾的积电是全球芯片代工业的领头羊，对于台积电这样的头部企业来说，居安思危一直习以为常，一直以来台积电为了增加自身的核心竞争力，多年以来未雨绸缪，不断地实现着自身突破，近年来，更是在1纳米的生产方面实现了巨大的突破。

不过有意思的却是台积电这一技术的重大突破却与我国芯片产业有关，因为台积电的“根”在一定程度上被我们大陆所把握。

在前几年的时候，美国为了阻止中国的崛起，对中国进行了各个方面的制裁，其中就包括在芯片领域的禁令。而台积电受制于美国，所以在美国宣布这个消息的时候，台积电就紧跟其后不给中国华为提供生产服务了。

但是中国有句古话说得好，留得青山在，不怕没柴烧，作为一个生意人，尽管逐利没有错误，但是还是应该坚守底线，如果放弃心中的底线，必然会遭到报应。

前面说到台积电的技术突破与中国有着关系，到底是怎么回事呢?

这还要从世界上在半导体行业的一条铁则说起——摩尔定律。

但是在大约一年半以前，有人甚至提出了摩尔定律将会放缓，并且预言它将失效。随着摩尔定律速度的逐渐放慢，有人认为未来的硅片规格不会满足1纳米和1纳米以下的芯片工艺要求。

所谓的摩尔定律就是“集成电路的晶体管密度会在每18至24个月翻一番。

在过去的很多年里面，芯片一直在以惊人的速度发展，但是自从摩尔定律被提出以来，它的发展只持续了半个世纪。

在本世纪初期，芯片制造工艺最初的密度是130 nm，后来在2004年的时候，90nm的制作工艺横空出世，著名的奔腾4就采用了这一工艺，使之在性能上得到了很大的提升，销量一度很好。

随着制作工艺的不断进步，半导体产业的发展也不断向前，当时的英特尔、英菲林、德州仪器、 IBM等公司很快地就掌握了如何制作90 nm，这都引领了当时的半导体行业。

但是随着时间的不断发展，芯片行业也发生了变化，各个厂商的发展并不一样。多家公司都受到了瓶颈，像英特尔就被困在10 nm，格芯被困在7 nm，现在的5 nm工艺就更难了，只剩了三星和台积电。尽管三星已经很努力了，但是仍然落后于台积电一点。

但是台积电也并非一路顺风，在从5 nm到3 nm的这一个关键地方，台积电也表现出有点力不从心了，但是由于台积电一直与研究机构合作，共同研究制程工艺。

在此基础上，台积电的工艺一步步推进，这次又取得了很高的突破，但是1nm的原材料，是和大陆有关系的。

从图中我们可以看出今天台积电所提出的半金属铋(Bi)在全球各国的储量比例。

我们国家半金属铋(Bi)的储量是24万，而全球的储量是32万，我们国家的储量就占到全球的75%。什么意思，不用多说了吧。

我们中国不仅地大物博，矿藏丰富而且出口的矿石也是非常多的。目前对于台积电的1纳米芯片取得突破，在半金属铋(Bi)的使用上将会显著增加，

目前的半金属铋的生产主要分为两个流程，一个就是台积电自身的沉积过程，另外一个就是他们的队伍所研发的氦离子束微影系统。

虽说台积电有了提高的技术，但是对于他们来说，原材料依然是个问题。而这对内地来说的确是个难得的机会。

中国作为地大物博的原材料大国，自然是各种稀有矿石都有，这样的话中国半导体的地位必将随之提高。由于我公司在铋矿市场上自然占有最大的优势。