台积电公布多款芯片制程工艺，2nm工艺将战未来

6 月 17 日，台积电在 2022 年技术研讨会上公开了多款先进技术，包含了 FINFLEX 技术、N2 技术、超低功耗平台和 3D Fabric 先进封装技术上的一些新突破等。其中最引人瞩目的，莫过于进入了下一个阶段的“N2（2nm）”制程工艺了。

根据台积电的说法，N2 用上了全新的 “Nanosheet（纳米片晶）”技术，而非以往的“FinFET（鳍式电晶体）”技术；在该工艺下诞生的芯片，在相同功率下的速度可以提高 10%~15%，而在相同速度下功耗则可以降低 25%~30%，让能效比得到进一步的提升。

这款新工艺不仅会提供给移动平台，还有可能会在高性能的处理器或显卡上登场。不过台积电也表示 N2 工艺要在 2025 年底之前才会正式投产，想在近两年内看到相关产品似乎可能性不大。

此外，这一次公布的 FINFLEX 技术也很值得关注，这项新技术带来了更多的 N3 工艺设计，包括了 N3E、N3P、N3S 和 N3X 等新工艺，以更高的“设计灵活性”来应对不同的需求。