众所周知，目前主要的芯片制造方案，均采用的是光刻技术，而光刻技术最重要的就是光刻机。
光刻机领域，ASML一家独占了80%以上的市场份额，特别是最高端的EUV光刻机，全球仅ASML一家能够制造。
而EUV又用于7nm以下的芯片制造，所以说ASML卡住了全球所有先进芯片制造企业的脖子。
所以一直以来，全球众多的企业，都在想方设法，绕过ASML的封锁，特别是绕过EUV光刻机技术，掌握另外的芯片制造技术，那么全球的芯片设备格局都可能被改写。
事实上，之前也有好几套技术方案，比如日本研究的NIL纳米压印技术，佳能就有推出相关的设备，据说也能用于5nm芯片的制造。
还有美国之前搞了EBL电子束技术，据称也能够用于5nm及以下芯片的制造。
还有欧洲搞什么DSA自生长技术，还有俄罗斯提出什么X射线方案等，但其真正的可以拿出来公布的进度并不多。除了佳能的NIL方案，据说已经用于实际生产之外，其它的只是传闻。
但是近日，传闻变成了现实，英国南安普敦大学宣布，成功开设了首个分辨率达 5 纳米以下的尖端电子束光刻 (EBL) 中心。
这种产品，据称可以制造下一代半导体芯片，并且是不需要EUV光刻机的芯片制造技术，据称这也是全球第二个，欧洲首个此类电子束光刻中心。
不过，目前这一代产品，也并不是没有缺点，那就是目前它还只能用于200mm的晶圆，也就是8寸的，要支持300mm也就是12寸的，据称要等到下一代技术才行。
但不可否认的是，一旦这种电子束光刻机大突破，解决了产能、分辨率等等问题之后，ASML的麻烦就来了，到时候ASML就无法一家独大了，那当前的这种局面，肯定会产生巨大的洗牌。
当然，对于我们而言，表现上来看似乎也是利好，毕竟这么多的产品推出，我们有了更多的选择，但关键是，这些产品和技术都不是中国的，所以就算对方有，也未必会卖给我们，所以我们还是努力加油吧，只有自己有，才能避免被卡脖子。
