1、存儲價格趨勢分析
- 價格止跌信號明確
NAND 與 DRAM 分化：NAND 價格自 2023 年 Q4 起逐步企穩，部分料號（如 SLC、MLC）現貨價已上漲；DRAM 中 DDR5 價格持續上行，16GB DDR4 現貨價企穩回升。
關鍵時間節點：預計 2024 年 Q2-Q3 開啟全面漲價周期，三星、海力士等大廠減產（10%-15%）疊加庫存去化完成（終端庫存去化 3-4 季度）為觸發點。
歷史規律驗證：三星工廠事故（如火災、罷工）等事件後，通常 6 個月左右價格啟動上漲，本輪周期信號與 2017 年相似。
- 供需結構改善
供給端：2024 年初全球大廠減產持續，三星/海力士/美光資本開支轉向先進制程（如 HBM、 DDR5）。
需求端：AI 算力需求爆發（服務器/PC/手機），企業級存儲（SSD、DRAM 模組）採購量同比增 30%+，頭部雲廠商 2024 年資本開支指引增長 20%-25%。
2、產業技術升級與周期邏輯
- 存儲技術迭代加速
DDR5 滲透率提升：2024 年服務器 DDR5 滲透率預計達 80%，手機/PC 端逐步導入，單機價值量較 DDR4 提升 40%-60%。
3D 堆疊技術突破：長江存儲/兆易創新推出 3D NAND 堆疊方案，應用於 AI 端側（手機/機械人/自動駕駛），單顆芯片存儲密度提升 3 倍，功耗降低 50%。
HBM 競爭格局：海力士領跑 HBM3E 量產，三星/美光加速擴產，2024 年全球 HBM 產能預計翻倍至 60 萬片/月，價格年漲幅超 30%。
- 周期特殊性分析
短周期嵌套長周期：2023H2-2024H1 為"去老貨"階段（漲價去庫存），2024H2-2026H1 為"新產能"階段（先進制程放量）。
國產替代窗口期：長存/長鑫產能爬坡，企業級模組（如江波龍、佰維存儲）加速替代海外廠商，2024 年國產化率有望從 15%提升至 25%。
3、投資策略與標的推薦
- 核心賽道
企業級存儲模組：受益於 AI 服務器資本開支增長，毛利率穩定（25%-30%），關注 江波龍（阿里/騰訊核心供應商）、佰維存儲（華為生態鏈）。
先進存儲技術：3D 堆疊方案落地驅動，重點推薦 兆易創新（長江存儲生態）、北京君正（車規 DRAM 市佔率 40%+），潛在標的 東芯股份（利基型 Nor Flash）。
風險提示：價格漲幅不及預期（若 Q2 需求復蘇弱於預期）；地緣政治擾動（美光審查、設備進口限制）。
4、問答環節重點補充
- 國產模組廠商替代邏輯
替代對象：台系廠商（群聯、慧榮）份額，原廠（三星/海力士）逐步退出低毛利模組業務。
競爭優勢：響應速度（定製化交付周期縮短 30%）、成本優勢（較海外低 15%-20%）。
- 細分市場空間測算
3D 堆疊 DRAM：2025 年全球市場規模有望達 120 億美元，手機/自動駕駛/機械人分別佔比40%/30%/20%。
HBM 產業鏈：封裝環節價值量佔比 25%-30%，關注 太極實業（海力士封裝合作方）、通富微電（AMD 生態）。
- 標的估值爭議
當前頭部模組廠商 2024 年 PE 35-40X，低於上一輪周期峰值（60X+），產業趨勢溢價尚未充分體現。
