台積電打算到2025年量產2nm，並表示會保持技術領先。不過ASML傳來的消息讓劉德音也沒料到，「打臉」來得這麼快。ASML宣布下一代的High NA EUV光刻機是最後一代NA。
因此ASML的光刻機技術即將走到盡頭，台積電恐怕很難維持芯片製程迭代，從而被競爭對手追趕甚至是超越。光刻機技術真的走到盡頭了嗎？台積電競爭變數增多，如何應對？
ASML宣布光刻機技術到達盡頭
先進的光刻機技術支持台積電實現5nm，4nm高端製程芯片突破，為蘋果、英偉達、AMD等美企巨頭造出每秒萬億次計算的芯片。
三星是唯一能跟上台積電製程節奏的芯片製造商，可是三星的工藝良品率沒有達到客戶的要求，導致高通，英偉達相繼將芯片訂單交給了台積電，也由此能夠看出台積電芯片製造技術的強大。
可是這些領先的技術很大程度都是靠光刻機賦予的，如果沒有光刻機，即便台積電掌握先進制程，也無法將芯片造出來。就好比廚師離開了廚具，製圖師離開了CAD等工具。隨着光刻機製程技術的迭代，台積電才能順利造出一代又一代芯片。
ASML目前最先進的是EUV光刻機，採用的是0.33數值孔徑系統。不過0.33數值孔徑的EUV光刻機最多造出3nm製程的芯片。想造出更先進的2nm芯片，只能將數值孔徑升級為0.55。
ASML基於該數值孔徑能夠造出下一代的High NA EUV光刻機，從而改變芯片製造行業的遊戲規則。
台積電錶示會在2024年獲得High NA EUV光刻機，並在2025年造出2nm芯片，保證2nm將處於世界領先。可事實真是如此嗎？
台積電也許可以在2024年順利採購到High NA EUV光刻機，但是能否保證2nm芯片領先，還需要打上一個問號。
因為ASML突然宣布，High NA EUV光刻機會是最後一代NA。也就是說，到了High NA EUV光刻機之後，將來不會再有更先進的光刻機工藝了。難道光刻機技術真的走到盡頭了嗎？如果從傳統的發展路徑來看，或許真如ASML所言。
但是理論上X射線光刻機以及電子束光刻機都能實現比EUV光刻機更高的精度和分辨率。不過在芯片大規模量產方面，目前還不具備產業鏈優勢。所以ASML要是無法突破比High NA EUV光刻機更先進的技術，恐怕這就是最後一代工藝了。
台積電劉德音也沒料到，「打臉」來得這麼快，一旦光刻機技術無法再繼續突破，台積電的芯片製程技術將再難提升，屆時台積電又該如何保證領先呢？
所以在台積電2025年量產2nm之前，自信的發言很容易翻車。甚至不需要到2nm，台積電在3nm就已經落後三星了。
了解的人都知道，三星在6月底就宣布完成3nm量產，此後三星又完成了首批3nm芯片訂單的交付。何止這些，三星3nm採用的是GAA架構，性能提升和降低功耗都有更出色的表現，不遜於台積電3nm的理論性能表現。
台積電競爭變數增多，如何應對？
台積電不希望看見的事情還是發生了，競爭對手正在加速追趕。儘管台積電保持了幾十年的芯片製造技術領先，但隨着摩爾定律極限的到來，以及ASML光刻機技術即將走到盡頭，估計台積電也無法保證能始終維持第一的位置。
一旦競爭對手取得比台積電更先進的技術，而且良率和產能都達到媲美水準的話，台積電的客戶們都會有降低台積電訂單依賴的想法。
台積電的競爭變數增多，一方面三星步步緊逼，率先掌握3nm量產，有更多的時間去提升工藝良率。另一方面英特爾會成為High NA EUV光刻機的首發客戶，並制定了長遠的工藝製程規劃，背後還有美國的傾力扶持。
台積電第一的寶座有很多廠商盯着，過去台積電能憑藉EUV光刻機突破一代又一代製程技術，將來台積電突破速度放緩，在眾多競爭變數中，台積電該如何應對呢？
其實台積電也在降低對傳統芯片製程的依賴，押注先進封裝產業。當芯片性能到達一定的極限時，通過特殊的封裝工藝可以改變集成電路在設備中的排版，布控，甚至使用芯粒技術，把多個小芯片封裝堆疊，帶來性能持續突破。
台積電目前正在大力布局3D封裝，還通過先進封裝技術給蘋果造出了M1 Ultra。這顆芯片就是採用的台積電先進封裝工藝打造，把兩顆M1 MAX堆疊組合，實現更強勁的性能，晶體管數量高達1140億根。
所以當台積電無法在傳統製程更進一步時，大概率會走先進封裝路徑，延長競爭優勢。至於能達到這樣的效果，就需要拭目以待了。
對此，你有什麼看法呢？歡迎在下方留言分享。
